[发明专利]强电介质器件

权利要求书

1.一种强电介质器件，其特征在于，具备：

硅基板；

第1电极，形成在所述硅基板的一表面侧；

强电介质膜，形成在所述第1电极的与所述硅基板侧相反的一侧；以及

第2电极，形成在所述强电介质膜的与所述第1电极侧相反的一侧；

所述强电介质膜由与硅之间存在晶格常数差的强电介质材料形成，

在所述硅基板和所述第1电极之间设置有缓冲层，该缓冲层由与所述强电介质膜之间的晶格匹配性比硅好的材料形成，

所述硅基板形成有空洞，该空洞使所述缓冲层的与所述第1电极侧相反的表面露出。

2.根据权利要求1所述的强电介质器件，其特征在于，

所述第1电极作为下部电极被配置在所述强电介质膜的下表面侧，

所述第2电极作为上部电极被配置在所述强电介质膜的上表面侧，

所述缓冲层被设置在所述下部电极的正下方，

所述缓冲层的下表面的至少一部分通过所述硅基板的所述空洞而露出。

3.根据权利要求2所述的强电介质器件，其特征在于，

在所述硅基板的所述一表面侧具备加强层，该加强层被层积在具备所述缓冲层、所述下部电极、所述强电介质膜和所述上部电极的层积结构的至少一部分上而对所述层积结构进行加强。

4.根据权利要求2所述的强电介质器件，其特征在于，

除了由所述缓冲层构成的第1缓冲层之外，在所述强电介质膜和所述下部电极之间还设置有第2缓冲层，该第2缓冲层由与所述强电介质膜之间的晶格匹配性比所述下部电极好的材料形成。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的强电介质器件，其特征在于，

所述缓冲层的所述材料是导电性材料。

6.根据权利要求4所述的强电介质器件，其特征在于，

所述第1缓冲层的材料和所述第2缓冲层的材料中的至少一方是导电性材料。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的强电介质器件，其特征在于，

所述强电介质膜是焦热电膜，所述缓冲层的所述材料的热传导率小于硅的热传导率。

8.根据权利要求5所述的强电介质器件，其特征在于，

所述强电介质膜是焦热电膜，所述缓冲层的所述材料的热传导率小于硅的热传导率。

9.根据权利要求4或6所述的强电介质器件，其特征在于，

所述强电介质膜是焦热电膜，所述第1缓冲层的材料及所述第2缓冲层的材料的热传导率小于硅的热传导率。