[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201180019220.3 | 申请日： | 2011-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102870214A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·维尔特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;F21K99/00;F21Y101/02;F21Y113/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1）。在支承体（2）上设有至少一个第一半导体芯片（3）以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体（2）上设有至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中。通过隔离件（5）将至少一个第一半导体芯片（3）与至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开。至少一个第一半导体芯片（3）和至少一个第二半导体芯片（4、4a、4b）分别中心对称地围绕共同的对称中心设置。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1），所述光电子器件具有：‑支承体（2），‑至少一个设置在所述支承体（2）上的第一半导体芯片（3），以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射，‑至少一个设置在所述支承体（2）上的第二半导体芯片（4、4a、4b），以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射，‑其中所述第一光谱范围和所述第二光谱范围彼此不同，‑其中将所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中，‑其中通过隔离件（5）将所述第一半导体芯片（3）与所述第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开，并且‑其中所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）分别围绕共同的对称中心（Z）中心对称地设置。
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