[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1），所述光电子器件具有：

-支承体（2），

-至少一个设置在所述支承体（2）上的第一半导体芯片（3），以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射，

-至少一个设置在所述支承体（2）上的第二半导体芯片（4、4a、4b），以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射，

-其中所述第一光谱范围和所述第二光谱范围彼此不同，

-其中将所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中，

-其中通过隔离件（5）将所述第一半导体芯片（3）与所述第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开，并且

-其中所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）分别围绕共同的对称中心（Z）中心对称地设置。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中在所述支承体（2）上，至少一个所述第一半导体芯片（3）设置在内部区域（113）中，并且至少一个所述第二半导体芯片（4）设置在外部区域（114）中。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中围绕所述第二半导体芯片（4、4a、4b）设置有另外的隔离件（8）。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述隔离件（5）和/或所述另外的隔离件（8）构造为环形。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述第一半导体芯片（3）是用于发射在红色光谱范围中的电磁辐射的AlGaInP半导体芯片。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述第二半导体芯片（4、4a、4b）是用于发射在蓝色光谱范围中的电磁辐射的InGaN半导体芯片。

7.根据权利要求6所述的光电子器件，其中由所述InGaN半导体芯片（4、4a、4b）发射的电磁辐射的一部分通过转换介质（17）来转换，尤其转换到黄绿色光谱范围中。

8.根据权利要求5所述的光电子器件，其中所述AlGaInP半导体芯片（3）用第一浇注材料（7）浇注，尤其用硅树脂或环氧树脂浇注。

9.根据权利要求6或7所述的光电子器件，其中所述InGaN半导体芯片（4、4a、4b）用第二浇注材料（9）浇注，尤其用硅树脂以平坦的体积浇注物的形式来浇注，其中所述第二浇注材料（9）具有转换介质（17）。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中半球形的耦合输出透镜（6）覆盖所述第一半导体芯片（3），其中所述耦合输出透镜的几何尺寸尤其满足魏尔施特拉斯条件。

11.根据权利要求6或7或9之一所述的光电子器件，其中所述InGaN半导体芯片（4）构造为体积发射器（4a）尤其是蓝宝石芯片，和/或构造为表面发射器（4b）尤其是薄膜芯片。

12.根据权利要求11所述的光电子器件，其中所述表面发射器（4b）至少部分地设置在高反射率的材料（11）中，尤其设置在填充有TiO₂、ZrO₂、Al₂O₃或ZnO的硅树脂中。

13.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述隔离件（5）和/或所述另外的隔离件（8）是高反射率的，具有大于90%的反射率，优选具有大于95%的反射率。

14.用于制造用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件的方法，所述方法具有以下方法步骤：

-将至少一个第一半导体芯片（3）设置在支承体（2）上，

-将至少一个第二半导体芯片（4）设置在所述支承体（2）上，

其中将至少一个所述第一半导体芯片（3）和至少一个所述第二半导体芯片（4、4a、4b）分别围绕共同的对称中心（Z）中心对称地设置在唯一的封装件中，

-在至少一个所述第一半导体芯片（3）和至少一个所述第二半导体芯片（4、4a、4b）之间设置隔离件（5），以用于进行光学分隔。