[发明专利]肖特基结太阳能电池的电子栅改进无效
申请号: | 201180018487.0 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102870233A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | A·G·林兹勒;波亚·瓦德瓦;郭京;薛京善 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会公司 |
主分类号: | H01L31/07 | 分类号: | H01L31/07;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于肖特基结太阳能电池的不同系统和方法。在一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的网格层和在网格层上形成的离子层。离子层渗透通过网格层,并直接接触半导体层。在另一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的第一网格层、耦合到第一网格层的第一金属化层、通过栅电压耦合到第一金属化层的第二高表面面积导电电极、以及与第一网格层和第二高表面面积导电电极电通信的离子层。在另一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的栅格层以及与栅格层和半导体层电通信的离子层。 | ||
搜索关键词: | 肖特基结 太阳能电池 电子 改进 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:网格层,其在半导体层上形成,其中所述网格层包括导电、透明的多孔网格的纳米管;以及离子层,其在所述网格层上形成,其中所述离子层渗透所述纳米管的多孔网格,并直接接触所述半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛罗里达大学研究基金会公司,未经佛罗里达大学研究基金会公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180018487.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的