[发明专利]肖特基结太阳能电池的电子栅改进无效

专利信息
申请号: 201180018487.0 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102870233A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: A·G·林兹勒;波亚·瓦德瓦;郭京;薛京善 申请(专利权)人: 佛罗里达大学研究基金会公司
主分类号: H01L31/07 分类号: H01L31/07;H01L31/0224
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 周靖;郑霞
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了用于肖特基结太阳能电池的不同系统和方法。在一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的网格层和在网格层上形成的离子层。离子层渗透通过网格层,并直接接触半导体层。在另一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的第一网格层、耦合到第一网格层的第一金属化层、通过栅电压耦合到第一金属化层的第二高表面面积导电电极、以及与第一网格层和第二高表面面积导电电极电通信的离子层。在另一个实施方式中,太阳能电池包括在半导体层上形成的栅格层以及与栅格层和半导体层电通信的离子层。
搜索关键词: 肖特基结 太阳能电池 电子 改进
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:网格层,其在半导体层上形成,其中所述网格层包括导电、透明的多孔网格的纳米管;以及离子层,其在所述网格层上形成,其中所述离子层渗透所述纳米管的多孔网格,并直接接触所述半导体层。
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