[发明专利]肖特基结太阳能电池的电子栅改进

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

网格层，其在半导体层上形成，其中所述网格层包括导电、透明的多孔网格的纳米管；以及

离子层，其在所述网格层上形成，其中所述离子层渗透所述纳米管的多孔网格，并直接接触所述半导体层。

2.一种太阳能电池，包括：

第一网格层，其在半导体层上形成，其中所述第一网格层包括多孔网格的纳米管；

第一金属化层，其被耦合到所述第一网格层；

第二高表面面积导电电极，其通过栅电压被耦合到所述第一金属化层；以及

离子层，其与所述第一网格层和所述第二高表面面积导电电极电通信。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层和所述半导体层的结的内建电势对由所述栅电压施加的电压是敏感的。

4.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层和所述半导体层的结的界面偶极子对由所述栅电压施加的电压是敏感的。

5.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述栅电压包括多个太阳能电池。

6.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一金属化层形成第一电极，而所述第二高表面面积导电电极形成第二电极。

7.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一金属化层通过绝缘层与所述半导体层绝缘。

8.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一金属化层直接接触所述半导体层。

9.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层包括石墨烯层。

10.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层包括半导电的纳米线。

11.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层包括金属纳米线。

12.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述半导体表面通过施加的栅电压被调整以改变所述表面状态密度，从而允许额外的性能增强。

13.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述太阳能电池的串联电阻对由所述栅电压施加的电压是敏感的。

14.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层包括金属栅格。

15.如权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一网格层包括半导体栅格。

16.一种太阳能电池，包括：

栅格层，其在半导体层上形成；

第一金属化层，其被耦合到所述栅格层；以及

离子层，其与所述栅格层和所述半导体层电通信。

17.如权利要求16所述的太阳能电池，其中所述栅格层包括导电栅格的纳米管。

18.如权利要求16所述的太阳能电池，其中所述栅格层包括导电的金属栅格。

19.如权利要求16所述的太阳能电池，还包括布置在所述半导体层和所述第一金属化层之间的绝缘层。

20.如权利要求19所述的太阳能电池，还包括：

网格层，其在所述绝缘层上形成，所述网格层与所述栅格层电隔离；以及

第二金属化层，其被耦合到所述网格层。