[发明专利]用于传输线的屏蔽结构有效
申请号: | 201180018461.6 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102844864A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 陈淑鲜;J·T·瓦特 | 申请(专利权)人: | 阿尔特拉公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种屏蔽结构包括:第一梳状结构和第二梳状结构,限定于集成电路上的第一金属化层中,每个梳状结构包括多个齿,每个梳状结构的齿朝着另一齿状结构延伸;第一多个电传导过孔,从第一梳状结构向上延伸;第二多个电传导过孔,从第二梳状结构向上延伸;第一平面结构和第二平面结构,在第一金属化层之上的第二金属化层中;第三多个电传导过孔,从第一平面结构朝着第一多个电传导过孔向下延伸;以及第四多个电传导过孔,从第二平面结构朝着第二多个电传导过孔向下延伸。第一梳状结构和第二梳状结构、第一平面结构和第二平面结构以及第一电传导过孔、第二电传导过孔、第三电传导过孔和第四电传导过孔都在基本上相同电势。在一个实施例中,一个或者多个信号线在第一平面结构与第二平面结构之间位于第二金属化层中;并且在另一实施例中,它们位于第一金属化层与第二金属化层之间的第三金属化层中。 | ||
搜索关键词: | 用于 传输线 屏蔽 结构 | ||
【主权项】:
一种屏蔽结构,包括:第一梳状结构和第二梳状结构,限定于集成电路上的第一金属化层中,每个梳状结构包括多个齿,每个梳状结构的所述齿朝着另一梳状结构延伸;第一多个电传导过孔,从所述第一梳状结构向上延伸;第二多个电传导过孔,从所述第二梳状结构向上延伸;第一平面结构和第二平面结构,在所述第一金属化层之上的第二金属化层中;第三多个电传导过孔,从所述第一平面结构朝着所述第一多个电传导过孔向下延伸;以及第四多个电传导过孔,从所述第二平面结构朝着所述第二多个电传导过孔向下延伸,所述第一梳状结构和所述第二梳状结构、所述第一平面结构和所述第二平面结构以及所述第一电传导过孔、所述第二电传导过孔、所述第三电传导过孔和所述第四电传导过孔都处于基本上相同电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的