[发明专利]电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法有效
| 申请号： | 201180018264.4 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102844472A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 中矢清隆;喜多晃一;熊谷训;加藤直树;渡边真美 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C25D17/10 | 分类号： | C25D17/10;C22F1/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可减少残渣等颗粒的产生和起因于残渣的电镀不良的电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法、使用该高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。通过对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变后，进行再结晶化热处理，可具有阳极表面的铜晶粒的晶界的单位全部晶界长度LN与特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN为0.35以上的晶界组织，通过抑制在电解铜电镀浴中的阳极侧产生的残渣等颗粒的产生，可减少电镀不良。 | ||
| 搜索关键词： | 电解铜 电镀 纯度 阳极 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电镀用高纯度铜阳极，其特征在于，具有满足下述关系的晶界组织，即，当(a)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，将邻接的晶粒彼此的取向差为15°以上的晶粒的界面作为晶界，对测定范围中的晶界的全部晶界长度L进行测定，求出将该全部晶界长度换算为每1mm2单位面积的单位全部晶界长度LN，(b)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，确定相互邻接的晶粒的界面构成特殊晶界的晶界位置，并测定特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ，将该全部特殊晶界长度换算为每1mm2单位面积来求出单位全部特殊晶界长度LσN时，(c)所述测定的晶界的单位全部晶界长度LN与同样进行所述测定的特殊晶界的单位全部特殊晶界长度LσN的特殊晶界长度比率LσN/LN满足LσN/LN≥0.35的关系。
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