[发明专利]电解铜电镀用高纯度铜阳极、其制造方法及电解铜电镀方法

权利要求书

1.一种电镀用高纯度铜阳极，其特征在于，具有满足下述关系的晶界组织，即，

当(a)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，将邻接的晶粒彼此的取向差为15°以上的晶粒的界面作为晶界，对测定范围中的晶界的全部晶界长度L进行测定，求出将该全部晶界长度换算为每1mm²单位面积的单位全部晶界长度L_N，

(b)利用扫描型电子显微镜，对阳极表面的各晶粒照射电子射线，确定相互邻接的晶粒的界面构成特殊晶界的晶界位置，并测定特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ，将该全部特殊晶界长度换算为每1mm²单位面积来求出单位全部特殊晶界长度Lσ_N时，

(c)所述测定的晶界的单位全部晶界长度L_N与同样进行所述测定的特殊晶界的单位全部特殊晶界长度Lσ_N的特殊晶界长度比率Lσ_N/L_N满足Lσ_N/L_N≥0.35的关系。

2.根据权利要求1所述的电镀用高纯度铜阳极，平均结晶粒径为3~1000μm。

3.一种权利要求1或2所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，其特征在于，对电镀用高纯度铜实施加工而施加加工应变之后，在250~900℃进行再结晶化热处理，从而使特殊晶界长度比率Lσ_N/L_N为0.35以上。

4.根据权利要求3所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，加工通过冷加工或热加工之中的至少任意一种加工来进行。

5.根据权利要求3所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，重复进行冷加工和再结晶化热处理、或者热加工和再结晶化热处理、或组合这些加工处理的处理以使特殊晶界长度比率Lσ_N/L_N达到0.35以上。

6.根据权利要求4所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，重复进行冷加工和再结晶化热处理、或者热加工和再结晶化热处理、或组合这些加工处理的处理以使特殊晶界长度比率Lσ_N/L_N达到0.35以上。

7.根据权利要求3所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，在350~900℃的温度范围内实施轧制率5~80%的热加工，之后，在不施加所述加工应变的状态下静态保持3~300秒来进行再结晶化热处理。

8.根据权利要求3所述的电镀用高纯度铜阳极的制造方法，实施轧制率5~80%的冷加工，之后，在250~900℃的温度范围内进行加热，在不施加所述加工应变的状态下静态保持5分钟~5小时来进行再结晶化热处理。

9.一种利用权利要求1或2所述的电镀用高纯度铜阳极的电解铜电镀方法。