[发明专利]太阳能电池制造中使用的可调阴影掩模组件有效
| 申请号： | 201180018217.X | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102834905A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | M·春;B·阿迪博 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | H01L21/426 | 分类号： | H01L21/426 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种可调阴影掩模注入系统，包括：被配置为提供离子的离子源；以及被配置为选择性地允许来自该离子源的离子通过其中以到达离子所注入的衬底的阴影掩模组件，其中，该阴影掩模组件被配置为在第一位置和第二位置之间调整；其中，当被设置在该第一位置时，该阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入，而不使能相对于该多个基本平行的线具有相交取向的任何线的离子注入；以及其中，当被设置在该第二位置时，该阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入以及相对于该多个基本平行的线具有相交取向的线的离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 使用 可调 阴影 模组 | ||
【主权项】：
一种可调阴影掩模注入系统，包括：离子源，其被配置为提供离子；以及阴影掩模组件，其被配置为选择性地允许来自所述离子源的离子穿过所述阴影掩模组件以到达所述离子被注入的衬底，其中，所述阴影掩模组件被配置为在第一位置和第二位置之间调整；其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第一位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入，而不使能在取向上与所述多个基本平行的线相交的任何线的离子注入，并且其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第二位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入以及在取向上与所述多个基本平行的线相交的线的离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
