[发明专利]太阳能电池制造中使用的可调阴影掩模组件

权利要求书

1.一种可调阴影掩模注入系统，包括：

离子源，其被配置为提供离子；以及

阴影掩模组件，其被配置为选择性地允许来自所述离子源的离子穿过所述阴影掩模组件以到达所述离子被注入的衬底，其中，所述阴影掩模组件被配置为在第一位置和第二位置之间调整；

其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第一位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入，而不使能在取向上与所述多个基本平行的线相交的任何线的离子注入，并且

其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第二位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入以及在取向上与所述多个基本平行的线相交的线的离子注入。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述多个平行线基本垂直于在取向上相交的所述线。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述阴影掩模组件包括：

具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露区域；以及

具有基本平行于第二轴的细长开口的第二暴露区域，其中，所述第二轴基本垂直于所述第一轴；

其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露区域和所述第二暴露区域之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述第一暴露区域包括：

具有基本平行于第一轴的第一组细长开口的第一遮挡掩模；以及

具有基本平行于所述第一轴的第二组细长开口的第二遮挡掩模，

其中，对所述第一遮挡掩模和所述第二遮挡掩模进行配置，使得所述第一组细长开口与所述第二组细长开口叠加，但偏离于所述第二组细长开口，以形成所述第一暴露区域的所述多个细长开口，所述第一暴露区域的所述多个细长开口小于在所述第一遮挡掩模的所述第一组细长开口以及所述第二遮挡掩模的所述第二组细长开口中的每一个细长开口。

5.根据权利要求3所述的系统，其中，所述阴影掩模组件还包括被配置为使能从所述离子对所述衬底的全面均匀注入的均匀暴露区域。

6.根据权利要求1所述的系统，还包括：

可移动衬底夹持器，其被配置为使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径以一定速度移动；以及

控制器，其操作性耦合至所述可移动衬底夹持器，其中，所述控制器被配置为针对所述第一位置将所述速度调整为第一水平并且针对所述第二位置将所述速度调整为第二水平。

7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述第二水平是比所述第一水平低的速度。

8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述可移动衬底夹持器被配置为使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径旋转。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述阴影掩模组件包括：

具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露构件，其中，所述多个细长开口越远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述多个细长开口的长度就越长；以及

具有被配置在与所述第一轴相交的取向上的细长开口的第二暴露构件，其中，随着所述细长开口延伸远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述细长开口变得越宽，

其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露构件和所述第二暴露构件之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述多个细长开口是弯曲的。

11.一种离子注入的方法，包括：

使离子通过阴影掩模组件流动到衬底；

将所述阴影掩模组件调整到第一位置，其中，所述衬底被选择性地注入多个基本平行的线的离子，而不被注入在取向上与所述多个基本平行的线相交的任何线的离子；以及

将所述阴影掩模组件调整到第二位置，其中，所述衬底被选择性地注入多个基本平行的线的离子和在取向上与所述多个基本平行的线相交的线的离子。

12.根据权利要求11所述的方法，所述多个平行线基本垂直于在取向上相交的所述线。