[发明专利]用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法有效

专利信息
申请号: 201180017973.0 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN102822989A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: U.沙夫;A.库格勒;M.齐佩尔;P.施蒂勒;M.科扬库 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H01L21/268
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;卢江
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于制造光生伏打模块的方法,所述光生伏打模块具有带有分别在接触侧(2)上设置的接触区域(3)的背侧接触半导体电池(1),具有以下方法步骤:提供不导电的薄膜状载体(4),将半导体电池的接触侧放置到载体上,实施对载体开孔的激光穿孔用于在半导体电池(1)的接触侧(2)的接触区域(3)上产生缺口(10),将接触剂(11)施加到载体上用于填充缺口并且用于构造在载体上伸展的接触层。
搜索关键词: 用于 制造 具有 接触 半导体 电池 光生伏打 模块 方法
【主权项】:
用于制造具有带有分别在接触侧(2)上设置的接触区域(3)的背侧接触半导体电池(1)的光生伏打模块(20)的方法,具有以下方法步骤:‑提供不导电的薄膜状载体(4),‑将半导体电池(1)的接触侧(2)放置到载体(4)上,‑实施对载体(4)开孔的点式穿孔用于在半导体电池(1)的接触侧(2)的接触区域(3)上产生缺口(10),‑将接触剂(11)施加到载体(4)上用于填充缺口(10)并且用于构造在载体(4)上伸展的接触层(11a)。
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