[发明专利]用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法有效
| 申请号: | 201180017973.0 | 申请日: | 2011-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN102822989A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
| 发明(设计)人: | U.沙夫;A.库格勒;M.齐佩尔;P.施蒂勒;M.科扬库 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李少丹;卢江 |
| 地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于制造光生伏打模块的方法,所述光生伏打模块具有带有分别在接触侧(2)上设置的接触区域(3)的背侧接触半导体电池(1),具有以下方法步骤:提供不导电的薄膜状载体(4),将半导体电池的接触侧放置到载体上,实施对载体开孔的激光穿孔用于在半导体电池(1)的接触侧(2)的接触区域(3)上产生缺口(10),将接触剂(11)施加到载体上用于填充缺口并且用于构造在载体上伸展的接触层。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 具有 接触 半导体 电池 光生伏打 模块 方法 | ||
【主权项】:
用于制造具有带有分别在接触侧(2)上设置的接触区域(3)的背侧接触半导体电池(1)的光生伏打模块(20)的方法,具有以下方法步骤:‑提供不导电的薄膜状载体(4),‑将半导体电池(1)的接触侧(2)放置到载体(4)上,‑实施对载体(4)开孔的点式穿孔用于在半导体电池(1)的接触侧(2)的接触区域(3)上产生缺口(10),‑将接触剂(11)施加到载体(4)上用于填充缺口(10)并且用于构造在载体(4)上伸展的接触层(11a)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





