[发明专利]用于制造具有背侧接触半导体电池的光生伏打模块的方法

权利要求书

1. 用于制造具有带有分别在接触侧（2）上设置的接触区域（3）的背侧接触半导体电池（1）的光生伏打模块（20）的方法，具有以下方法步骤：

-提供不导电的薄膜状载体（4），

-将半导体电池（1）的接触侧（2）放置到载体（4）上，

-实施对载体（4）开孔的点式穿孔用于在半导体电池（1）的接触侧（2）的接触区域（3）上产生缺口（10），

-将接触剂（11）施加到载体（4）上用于填充缺口（10）并且用于构造在载体（4）上伸展的接触层（11a）。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在放置半导体电池（1）的接触侧（2）之后实施半导体电池（1）到载体（4）上的层压，由此半导体电池（1）用层压结构（7）覆盖，尤其是用由乙烯-醋酸乙烯酯（EVA）或者基于硅有机化合物（硅酮）的塑料组成的层压结构（7）覆盖。

3. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在施加接触剂（11）之后产生至少一个其他接触层（13a），具有方法步骤：

-至少分段进行地用绝缘覆盖层（12）覆盖接触层（11a），

-实施对覆盖层（12）、载体（4）和/或印制导线开孔的点式穿孔用于在半导体电池（1）的接触区域（3）上产生缺口（10），

-将接触剂（13）施加到覆盖层（12）上用于填充缺口并且用于构造其他在覆盖层（12）上伸展的接触层（13a）。

4. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，通过印刷、喷溅或者可选择的焊接进行接触剂（11,13）的施加。

5. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在点式穿孔时，实施对在载体（4）上所布置的半导体电池（1）的图像识别，其中通过图像处理和/或参考点设置来实施穿孔设备（8）到每个单个半导体电池（1）上的直接参考。

6. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，为了通过透视装置（14,16,17）识别图像产生透视图像（18），其中在图像处理时对每个透视图像实施轮廓识别（19）并且穿孔设备（8）在轮廓识别的结果中自动地向从中确定的位置移动用于产生相应的缺口（10）。

7. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在使用激光钻孔设备的情况下以激光钻孔的形式实施点式穿孔。

8. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将由漆系统组成的保护层（25）施加到反向接触层（11a，13a）。

9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将保护层（25）整面地施加到光生伏打模块（20）的背侧（22）。

10. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，施加保护层（25）通过碾压、喷射、层压薄膜或者粉末涂层来进行。

11. 根据前述权利要求8至10之一所述的方法，其特征在于，所述漆系统恰好包括一个覆层。

12. 根据前述权利要求8至10之一所述的方法，其特征在于，所述漆系统包括多个覆层。

13. 根据前述权利要求8至12之一所述的方法，其特征在于，在保护层（25）中产生结构用于构成设计元素。

14. 光生伏打模块（20），包括大量具有背侧接触部和载体（4）的半导体电池（1），其中载体被构造为绝缘薄膜并且半导体电池以其接触侧放在第一载体侧上，其中载体具有用于在第一载体侧上的半导体电池和至少一个在第二载体侧上伸展的接触层（11a，13a）之间的接触的、被导电地填充的缺口（10）。

15. 根据权利要求14所述的光生伏打模块（20），其特征在于，所述导电材料（11）是导电层压结构、以墨水形式施加的痕迹、糊剂和/或焊料。