[发明专利]制造双栅极装置的结构和方法

摘要

将第一多晶硅（多晶硅-1）沉积到已经在基板中形成的深沟槽中。执行第一多晶硅抛光处理以平坦化多晶硅-1的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平。然后，在深沟槽之间的基板中形成浅沟槽，并将第二多晶硅（多晶硅-2）沉积到这些浅沟槽中。执行第二多晶硅抛光处理以平坦化多晶硅-2的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平。然后，形成与多晶硅-1以及多晶硅-2的金属触点。

主权项

一种制造双栅极半导体装置的方法，所述方法包括：将第一多晶硅沉积到在基板中形成的第一沟槽和第二沟槽中；执行第一多晶硅抛光处理，以平坦化所述第一多晶硅的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平；在所述第一多晶硅抛光处理之后，在所述第一和第二沟槽之间的所述基板中形成第三沟槽，其中所述第三沟槽比所述第一和第二沟槽浅；将第二多晶硅沉积到所述第三沟槽中；执行第二多晶硅抛光处理，以平坦化所述第二多晶硅的暴露的表面使得该表面与相邻表面齐平；以及形成所述第一多晶硅的第一金属触点，以及所述第二多晶硅的第二金属触点。