[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201180015812.8 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102822958A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 中尾雄一;太田直男 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/52;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置包括层间绝缘膜、突出形成于层间绝缘膜上且由主成分为铜的材料构成的配线、为覆盖配线而形成的钝化膜。钝化膜由从配线侧依次层叠第一氮化膜、中间膜及第二氮化膜所形成的层叠膜构成。中间膜由不同于第一及第二氮化膜的绝缘材料(例如氧化物)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：层间绝缘膜；突出形成于所述层间绝缘膜上且由主成分为铜的材料构成的配线；以及为覆盖所述配线而形成的钝化膜，所述钝化膜由从所述配线侧依次层叠第一氮化膜、中间膜及第二氮化膜所形成的层叠膜构成，所述中间膜由不同于所述第一氮化膜及第二氮化膜的绝缘材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180015812.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
