[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

层间绝缘膜；

突出形成于所述层间绝缘膜上且由主成分为铜的材料构成的配线；以及

为覆盖所述配线而形成的钝化膜，

所述钝化膜由从所述配线侧依次层叠第一氮化膜、中间膜及第二氮化膜所形成的层叠膜构成，所述中间膜由不同于所述第一氮化膜及第二氮化膜的绝缘材料构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述中间膜为由应力比所述第一氮化膜的材料小的材料构成的缓冲膜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

还包括形成于所述层间绝缘膜上且防止所述配线中的铜向所述层间绝缘膜扩散的阻挡膜，

所述配线具有形成于所述阻挡膜上且从所述阻挡膜的缘部伸出的外伸部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一氮化膜的膜厚小于所述第二氮化膜的膜厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述中间膜具有沿所述配线的厚度方向越远离所述层间绝缘膜而宽度越窄的锥部。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

在层间绝缘膜上以突出的方式形成由主成分为铜的材料构成的配线的工序；

在处理室内对所述配线实施还原性气体的等离子体处理的工序；

在所述等离子体处理之后，在所述处理室内通过等离子体CVD法形成将所述配线的表面及所述层间绝缘膜的表面覆盖的第一氮化膜的工序；

形成由不同于所述第一氮化膜的材料构成的中间膜以覆盖所述第一氮化膜的工序；以及

形成由不同于所述中间膜的材料构成的第二氮化膜以覆盖所述中间膜的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述中间膜的工序包括形成由应力比所述第一氮化膜的材料小的材料构成的缓冲膜的工序。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述配线的工序包括：在所述层间绝缘膜上形成阻挡膜的工序；在所述阻挡膜上形成规定的配线图案的铜膜的工序；以及将所述阻挡膜蚀刻为所述配线图案的工序。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

以使所述第一氮化膜的膜厚小于所述第二氮化膜的膜厚的方式形成所述第一氮化膜及第二氮化膜。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述中间膜的工序包括通过高密度等离子体CVD法形成氧化膜的工序。