[发明专利]制造用于成像设备的X射线衍射栅格微结构的方法无效
| 申请号： | 201180014855.4 | 申请日： | 2011-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102812164A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 王诗男;中村高士;手岛隆行;濑户本丰;渡边信一郎 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C25D5/02 | 分类号： | C25D5/02;C25D7/00;C25D7/12;G21K1/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种微结构制造方法包括：在Si基板上形成第一绝缘膜；通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及通过电解镀敷从Si露出表面用金属填充凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 成像 设备 射线 衍射 栅格 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种微结构制造方法，包括：在Si基板上形成第一绝缘膜；通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及通过电解镀敷从Si露出表面用金属填充凹部。
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