[发明专利]制造用于成像设备的X射线衍射栅格微结构的方法

权利要求书

1.一种微结构制造方法，包括：

在Si基板上形成第一绝缘膜；

通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；

通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；

在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；

通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及

通过电解镀敷从Si露出表面用金属填充凹部。

2.根据权利要求1所述的微结构制造方法，包括：

在形成第一绝缘膜中，在Si基板的背面和正面中的每一个上形成第一绝缘膜；

在露出Si表面中，通过去除Si基板的正面上的第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；

在形成凹部中，通过在使用Si基板的正面上的第一绝缘膜作为掩模的同时从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成Si凹部；

在形成第二绝缘膜中，在Si凹部的侧壁和底部上形成第二绝缘膜；

在形成Si露出表面中，通过去除在Si凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及

在填充金属中，通过利用电解镀敷从Si露出表面用金属填充Si凹部来形成金属微结构。

3.根据权利要求1所述的微结构制造方法，包括：

在形成第一绝缘膜中，在Si基板的背面和正面中的每一个上形成第一绝缘膜；

在露出Si表面中，通过去除Si基板的正面上的第一绝缘膜的一部分来露出Si基板的Si表面，并且随后通过在使用Si基板的正面上的第一绝缘膜作为掩模的同时从露出的Si表面刻蚀Si基板来在Si基板的正面上形成Si凹部；

在形成凹部中，通过去除Si基板的背面上的第一绝缘膜的一部分来露出Si基板的Si表面，并且随后通过在使用Si基板的背面上的第一绝缘膜作为掩模的同时从露出的Si表面刻蚀Si基板来在Si基板的背面上形成Si凹部；

在形成第二绝缘膜中，在Si基板的正面和背面中的每一个的Si凹部的侧壁和底部之上形成第二绝缘膜；

在形成Si露出表面中，通过去除在Si基板的正面和背面中的每一个的Si凹部的底部之上形成的第二绝缘膜的至少一部分来形成Si露出表面；以及

在填充金属中，通过利用电解镀敷从Si基板的正面和背面中的每一个上的Si露出表面用金属填充Si凹部来形成金属微结构。

4.根据权利要求3所述的微结构制造方法，其中在Si基板的正面和背面上的Si凹部被形成为使得在Si基板的正面和背面上的Si凹部相对于彼此是镜像对称的。

5.根据权利要求3所述的微结构制造方法，其中利用在Si基板的正面和背面中的每一个之上的第一绝缘膜作为掩模从露出的Si表面刻蚀Si基板，并且以Si凹部贯通的方式或者以Si凹部没有贯通的方式形成Si基板的正面和背面上的Si凹部。

6.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其中在形成Si露出表面中，Si露出表面包括Si凹部的侧壁的一部分。

7.根据权利要求1所述的微结构制造方法，其中Si基板具有10Ωcm或更小的电阻率。

8.一种微结构制造方法，包括：

在Si基板的表面上形成第一绝缘膜；

通过去除第一绝缘膜的一部分来露出Si表面；

通过从露出的Si表面刻蚀Si基板来形成凹部；

在凹部的底部和侧壁上形成第二绝缘膜；

通过去除在凹部的底部上形成的第二绝缘膜的至少一部分来露出Si表面；

在底部的露出的Si表面上施加金属膜；以及

通过电解镀敷从金属膜利用金属填充凹部。

9.根据权利要求8所述的微结构制造方法，其中利用电子束蒸发设备施加金属膜。

10.根据权利要求8所述的微结构制造方法，所述金属膜包括具有比所述金属的电离倾向大的电离倾向的金属。

11.一种微结构，包括：

Si基板，包括多个凹部；以及

经由绝缘膜填充在所述多个凹部中的每一个中的金属，

其中绝缘膜没有被形成在凹部的底部的至少一部分上，以及

其中所述金属至少在所述一部分上与Si基板的Si表面接触。