[发明专利]减小SOI结构中的未接合区的宽度的方法以及由该方法制造的晶片和SOI结构

摘要

本公开涉及具有减小的未接合区的绝缘体上硅结构的制备以及通过使处理晶片和供体晶片的滚降量（ROA）最小化来制造这样的晶片的方法。还提供用于抛光晶片的方法。

主权项

一种制造绝缘体上硅结构的方法，所述结构包括处理晶片、硅层以及位于所述处理晶片与所述硅层之间的电介质层，所述结构具有中心轴、与所述中心轴大致垂直的前表面和后表面、连接所述前表面和后表面的周边边缘以及从所述中心轴延伸到所述周边边缘的半径，所述方法包括：在供体晶片和处理晶片中的至少一者的前表面上形成电介质层；将所述电介质层接合到所述供体晶片和所述处理晶片中的至少一者以形成接合的晶片，其中所述供体晶片和所述处理晶体中的至少一者具有小于约‑700nm的厚度滚降量（ROA）；以及沿所述供体晶片内的分离面分离所述接合的晶片，使得硅层保留为被接合到所述电介质层而形成所述绝缘体上硅结构。