[发明专利]减小SOI结构中的未接合区的宽度的方法以及由该方法制造的晶片和SOI结构

权利要求书

1.一种制造绝缘体上硅结构的方法，所述结构包括处理晶片、硅层以及位于所述处理晶片与所述硅层之间的电介质层，所述结构具有中心轴、与所述中心轴大致垂直的前表面和后表面、连接所述前表面和后表面的周边边缘以及从所述中心轴延伸到所述周边边缘的半径，所述方法包括：

在供体晶片和处理晶片中的至少一者的前表面上形成电介质层；

将所述电介质层接合到所述供体晶片和所述处理晶片中的至少一者以形成接合的晶片，其中所述供体晶片和所述处理晶体中的至少一者具有小于约-700nm的厚度滚降量（ROA）；以及

沿所述供体晶片内的分离面分离所述接合的晶片，使得硅层保留为被接合到所述电介质层而形成所述绝缘体上硅结构。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述电介质层形成在所述供体晶片上，且所述电介质层被接合到所述处理晶片，所述处理晶片具有小于约-700nm的厚度ROA。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述电介质层形成在所述供体晶片上，且所述电介质层被接合到所述处理晶片，所述供体晶片具有小于约-700nm的厚度ROA。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述电介质层形成在所述处理晶片上，且所述电介质层被接合到所述供体晶片，所述供体晶片具有小于约-700nm的厚度ROA。

5.根据权利要求1或4的方法，其中，所述电介质层形成在所述处理晶片上，且所述电介质层被接合到所述供体晶片，所述处理晶片具有小于约-700nm的厚度ROA。

6.根据权利要求1到5中任一项的方法，其中，所述处理晶片具有小于约-700nm，小于约-600nm，小于约-500nm，小于约-400nm，小于约-300nm、小于约-250nm或者从约-10nm至约-700nm，从约-50nm至约-600nm，从约-100nm至约-500nm，从约-100nm至约-400nm或从约-100nm至约-300nm的厚度ROA。

7.根据权利要求1到6中任一项的方法，其中，所述供体晶片在其前表面上具有小于约-600nm，小于约-500nm，小于约-400nm，小于约-300nm、小于约-250nm或者从约-10nm至约-700nm，从约-50nm至约-600nm，从约-100nm至约-500nm，从约-100nm至约-400nm或从约-100nm至约-300nm的厚度ROA。

8.根据权利要求1到7中任一项的方法，其中，所述供体晶片和所述处理晶片二者都具有位于所述结构的所述周边边缘与所述半径的98%之间的环形边缘部分，且其中，通过以下步骤确定所述厚度ROA：

在厚度分布上的第一预估点与第二预估点之间形成参考线；以及

测量所述参考线与晶片厚度分布的边缘部分中的第三预估点之间的距离。

9.根据权利要求8的方法，其中，所述第一预估点与所述结构的所述中心轴之间的距离为所述结构的所述半径的约82.7%。

10.根据权利要求8或9的方法，其中，所述第二预估点与所述结构的所述中心轴之间的距离为所述结构的所述半径的约93.3%。

11.根据权利要求8到10中任一项的方法，其中，所述第三预估点与所述结构的所述中心轴之间的距离为所述结构的所述半径的约99.3%。

12.根据权利要求8到11中任一项的方法，其中，所述参考线被拟合为一阶线性线。

13.根据权利要求8到11中任一项的方法，其中，所述参考线被拟合为三阶多项式。

14.根据权利要求1到13中任一项的方法，其中，所述厚度ROA为平均厚度ROA。

15.根据权利要求14的方法，其中，所述平均厚度ROA为在8个晶片半径处进行的8个厚度ROA测量的平均。