[发明专利]藉由等离子体增强化学气相沉积使用含有具有机官能基的硅的杂化前驱物所形成的超低介电材料

摘要

提供一种在衬底上沉积低介电常数层的方法。在一个实施例中，所述方法包括将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分；在存在射频功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在腔室内的衬底上沉积低介电常数层；以及后处理低介电常数层，以从低介电常数层基本移除成孔剂成分。可选地，将惰性载气、氧化气体或惰性载气与氧化气体伴随所述一种或更多种有机硅化合物引进处理腔室。后处理工艺可以是紫外线辐射固化沉积材料。紫外线固化工艺可与热或电子束固化工艺同时或按顺序进行。所述低介电常数层具有良好的机械性质和预期的介电常数。

主权项

一种沉积低介电常数层的方法，所述方法包括：将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分，所述成孔剂成分与所述硅原子键结，其中所述一种或更多种有机硅化合物从由5‑双环庚烯基三乙氧硅烷、5‑双环庚烯基甲基二乙氧硅烷、5‑双环庚烯基二甲基乙氧硅烷、5‑双环庚烯基三甲基硅烷、5‑双环庚基甲基二乙氧硅烷、5‑双环庚基二甲基乙氧硅烷、5‑双环庚基三甲基硅烷、5‑双环庚基二甲基氯硅烷、环己基甲基二甲氧硅烷、异丁基甲基二甲氧硅烷、1‑(2‑三甲氧基硅基乙基)环己烷‑3,4‑环氧化物、1,1‑二甲基‑1‑硅杂环戊烷、2‑环己烯‑1‑基氧基三甲基硅烷、环己基氧基三甲基硅烷、2,4‑环戊二烯‑1‑基三甲基硅烷、1,1‑二甲基硅杂环己烷和上述物质的组合物所组成的群组中选择；在存在射频(RF)功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在所述腔室内的衬底上沉积低介电常数层；以及后处理所述低介电常数层，以从所述低介电常数层基本移除所述成孔剂成分，其中所述低介电常数层具有约20体积%至约30体积%的孔隙体积和约6埃至约11埃的平均孔隙半径。