[发明专利]半导体器件及半导体器件的驱动方法

摘要

本发明的一个目的是提供一种具有新结构的半导体器件，该半导体器件甚至在没有供电时也能够保持已存储数据，并且具有无限数量的写入周期。半导体器件包括其中包含例如氧化物半导体的宽能隙半导体的存储器单元，并且半导体器件包括电位转换电路，该电位转换电路用于输出比参考电位要低的电位用于从存储器单元读取数据。借助于宽能隙半导体，能够提供能够充分降低存储器单元中包含的晶体管的断态电流并且能够将数据保持长时间的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：写入字线；读取字线；位线；源线；信号线；包括多个存储器单元的存储器单元阵列；第一驱动器电路；第二驱动器电路；以及电位转换电路，其中，所述多个存储器单元之一包括：    第一晶体管，包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一沟道形成区；    第二晶体管，包括第二栅极、第二源极、第二漏极和第二沟道形成区；以及    电容器，其中，所述第一沟道形成区包括其中包含硅的半导体材料，并且所述第二沟道形成区包括氧化物半导体材料，所述第一栅极电连接到所述电容器的两个电极其中之一以及所述第二源极和所述第二漏极其中之一，所述电容器配置成通过使所述第二晶体管截止来保持所述电容器的所述两个电极之间的电压，所述第一驱动器电路通过所述位线电连接到所述第一漏极和所述第一源极其中之一，并且通过所述信号线电连接到所述第二漏极和所述第二源极中的另一个，所述第二驱动器电路通过所述读取字线电连接到所述电容器的所述两个电极中的另一个，并且通过所述写入字线电连接到所述第二栅极，以及所述电位转换电路向所述第二驱动器电路输出比参考电位要低的电位。