[发明专利]二次电池用负极、负极集电体、它们的制造方法、以及二次电池有效
| 申请号： | 201180009749.7 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102763246A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 谷俊夫;吉成喜芳;铃木昭利;篠崎健作 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/13;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/66;H01M4/70;H01M10/0569 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘宗杰;钟锦舜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供装载于电子仪器、工业仪器或汽车等中的可充放电的二次电池、适用于该二次电池的负极电极、以及负极集电体用铜箔。一种二次电池用负极，其是在使用了铜箔或铜合金箔的集电体的一面或两面上形成有硅系活性物质被膜的、使用非水电解质的二次电池用负极，其特征在于，在所述集电体上，形成1g/m2～14g/m2的硅系活性物质被膜，所述形成了硅系活性物质被膜的负极表面的XYZ表色系统(CIE1931标准表色系统)中的明度Y值为15～50，且日本工业标准(JIS B0601-1994十点平均粗糙度)中所规定的表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz为1.0μm以上且4.5μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 负极 集电体 它们 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种二次电池用负极，其是在使用了铜箔或铜合金箔的集电体的一面或两面上形成有硅系活性物质被膜的、使用非水电解质的二次电池用负极，其特征在于，在所述集电体上，形成1g/m2～14g/m2的硅系活性物质被膜，形成了所述硅系活性物质被膜的负极表面的XYZ表色系统(CIE1931标准表色系统)中的明度Y值为15～50，且日本工业标准(JIS B0601‑1994十点平均粗糙度)中所规定的表面粗糙度(十点平均粗糙度)Rz为1.0μm以上且4.5μm以下。
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