[发明专利]用于结晶相变材料的再生的沉积后方法有效
| 申请号： | 201180007403.3 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102725874A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | L.H.张;S.M.罗斯纳杰尔;A.G.施罗特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于形成相变存储器单元的技术。示例方法包括在衬底内形成底电极。所述方法包括在所述底电极上形成相变层。所述方法包括形成覆盖层和绝缘层。所述方法包括使所述相变层中的所述相变材料结晶，使得所述相变层无空隙。所述方法还包括从所述底电极开始加热所述相变层中的所述相变材料，并且导致所述相变层从下到上结晶。在一个实施例中，应用快速热退火（RTA）用于使所述相变材料结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结晶 相变 材料 再生 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成存储器单元的方法，所述方法包括：在电介质衬底中形成底电极，所述底电极是导热体；至少在所述底电极上形成相变材料的层；在所述相变材料上形成绝热层，其中所述绝热层具有比所述底电极更低的导热性；以及退火所述相变材料，使得所述相变材料至少在转换区域内从所述底电极开始逐步结晶。
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