[发明专利]用于结晶相变材料的再生的沉积后方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器单元的方法，所述方法包括：

在电介质衬底中形成底电极，所述底电极是导热体；

至少在所述底电极上形成相变材料的层；

在所述相变材料上形成绝热层，其中所述绝热层具有比所述底电极更低的导热性；以及

退火所述相变材料，使得所述相变材料至少在转换区域内从所述底电极开始逐步结晶。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述相变材料在结晶相和非晶相之间是可设计的。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：在退火所述相变材料之后移除所述绝热层。

4.如权利要求1所述的方法，其中退火所述相变材料包括：加热所述相变材料，使得所述底电极上的至少一些所述相变材料变得熔化。

5.如权利要求4所述的方法，其中加热所述相变材料包括：将快速热退火RTA工艺应用于所述衬底。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述RTA工艺包括：

将所述相变材料加热到700℃至750℃之间约一秒；以及

将所述相变材料冷却至少四秒。

7.如权利要求4所述的方法，其中加热所述相变材料包括：应用至少一个激光脉冲直射到所述底电极上。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述相变材料和所述绝缘层之间形成覆盖层，所述覆盖层包括与所述相变材料不发生化学反应的材料。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：在所述相变材料结晶之后移除所述覆盖层。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述底电极上形成通孔，其中所述底电极形成所述通孔的底部；以及

其中形成所述相变材料的层包括用所述相变材料填充所述通孔。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：在所述相变材料结晶之后，移除所述相变材料的顶部的空隙。

12.如权利要求11所述的方法，其中移除所述空隙包括：对所述相变材料执行化学机械抛光CMP。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述绝热层包括80%的硫化锌ZnS和20%的二氧化硅SiO₂。

14.如权利要求1所述的方法，还包括在所述相变材料上形成顶电极。

15.一种存储器单元，包括：

衬底；

由所述衬底承载的底电极，所述底电极是导热体；

包括相变材料的相变层，当所述相变材料处于结晶相时，所述相变层在转换区域内无空隙；以及

所述相变层上的顶电极。

16.如权利要求15所述的存储器单元，其中所述相变材料在所述结晶相和非晶相之间是可设计的。

17.一种用于形成存储器单元的装置，包括：

衬底；

由所述衬底承载的底电极，所述底电极是导热体；

包括相变材料的相变层；

所述相变层上的绝缘层，所述绝缘层是绝热体；以及

加热器，配置为暂时熔化所述相变材料，使得所述相变材料在熔化之后在转换区域内无空隙地结晶。

18.如权利要求17所述的装置，其中所述相变材料在结晶相和非晶相之间是可设计的。

19.如权利要求17所述的装置，还包括所述相变层和所述绝缘层之间的覆盖层，所述覆盖层被配置为不与所述相变层和所述绝缘层发生反应。

20.如权利要求17所述的装置，其中所述绝缘层包括80%的硫化锌ZnS和20%的二氧化硅SiO₂。

21.如权利要求17所述的装置，其中所述加热器是激光器，其配置为应用至少一个激光脉冲到所述底电极上。

22.如权利要求17所述的装置，其中所述加热器进一步配置为执行快速热退火RTA。

23.如权利要求22所述的装置，其中所述加热器配置为：

将所述相变层加热到700℃至750℃之间约一秒；以及

将所述相变层冷却至少四秒。

24.如权利要求17所述的装置，还包括抛光器，配置为在所述相变材料结晶之后对所述相变层执行化学机械抛光CMP。