[发明专利]纳米图形化方法和设备无效
申请号: | 201180005881.0 | 申请日: | 2011-01-07 |
公开(公告)号: | CN102859441A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | B·柯宾 | 申请(专利权)人: | 罗利诗公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施方式涉及可用于大面积衬底的纳米图形化的方法和设备,其中可移动的纳米结构化膜用于使辐射敏感材料成像。该纳米图形化技术利用近场光刻术,其中纳米结构化膜用于调节到达辐射敏感层的光强度。近场光刻法可以利用弹性体相位移掩模,或可使用表面等离子体技术,其中可移动的膜包括金属纳米孔或纳米粒子。 | ||
搜索关键词: | 纳米 图形 方法 设备 | ||
【主权项】:
纳米图形化方法,包括a)提供衬底,在所述衬底表面上具有辐射敏感层;b)提供可移动的纳米结构化膜;c)使所述纳米结构化膜沿接触表面与所述衬底上的所述辐射敏感层接触;d)通过所述接触分配辐射,同时相对于所述膜平移所述衬底。
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