[发明专利]纳米图形化方法和设备无效
| 申请号: | 201180005881.0 | 申请日: | 2011-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN102859441A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | B·柯宾 | 申请(专利权)人: | 罗利诗公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 图形 方法 设备 | ||
1.纳米图形化方法,包括
a)提供衬底,在所述衬底表面上具有辐射敏感层;
b)提供可移动的纳米结构化膜;
c)使所述纳米结构化膜沿接触表面与所述衬底上的所述辐射敏感层接触;
d)通过所述接触分配辐射,同时相对于所述膜平移所述衬底。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米结构化膜引起辐射敏感层的平面中光强的调节。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述纳米结构化膜具有表面凸起。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述纳米结构化膜是相位移掩模,其引起辐射在所述辐射敏感层中形成干涉图形。
5.根据权利要求2所述的方法,其中所述纳米结构化膜由可共形的弹性体材料制成。
6.根据权利要求2所述的方法,其中所述纳米结构化膜由多于一层的透明柔性材料制成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述外层由弹性体材料制成。
8.根据权利要求6所述的方法,其中所述外层由硅烷材料制成。
9.根据权利要求3所述的方法,其中所述表面凸起是通过从纳米结构化的母体衬底进行模塑或铸塑制造的。
10.根据权利要求2所述的方法,其中所述可共形的纳米结构化膜是等离子体掩模。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述等离子体掩模由具有纳米孔阵列的金属膜制成。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述等离子体掩模由沉积或层压在透明柔性膜上的纳米图形化金属层制成。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述等离子体掩模由沉积在透明柔性膜上的金属纳米粒子阵列制成。
14.根据权利要求1所述的方法,其中纳米结构化膜和辐射敏感层之间的所述接触是用活动臂进行的。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述活动臂在光敏层曝光期间离开所述接触。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述活动臂是圆筒,且这种圆筒在与所述纳米结构化膜接触的同时旋转。
17.根据权利要求16所述的方法,其中所述圆筒具有柔性壁,并通过气体加压。
18.根据权利要求16所述的方法,其中光源置于这种圆筒内。
19.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底在从所述纳米结构化膜的接触线分配辐射期间以朝向或远离所述接触线的方向平移。
20.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米结构化膜以闭合环移动。
21.根据权利要求1所述的方法,其中所述纳米结构化膜从卷到卷移动。
22.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是刚性板。
23.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底具有曲率。
24.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底是柔性膜。
25.根据权利要求1所述的方法,其中在两个表面上都用光敏层涂覆的所述衬底的另一面上提供另外的纳米结构化柔性膜和光源,以在所述衬底的两面上进行纳米图形化。
26.进行纳米图形化的设备,包括
a)纳米结构化膜
以及
b)辐射源,其通过所述纳米结构化膜的一部分提供650nm或更小波长的辐射,同时所述部分与材料的辐射敏感层接触。
27.根据权利要求26所述的设备,其中纳米结构化膜是具有表面凸起的聚合物。
28.根据权利要求26所述的设备,其中纳米结构化膜是穿孔金属膜或具有金属纳米粒子的聚合物膜。
29.根据权利要求26所述的设备,其中所述纳米结构化膜具有多于一层。
30.根据权利要求26所述的设备,其中提供可移动的圆筒以控制纳米结构化膜与所述辐射敏感层接触。
31.根据权利要求30所述的设备,其中这种圆筒通过气体加压。
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