[发明专利]电子部件的制造方法有效
| 申请号： | 201180004835.9 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102741983A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 东别府优树;山本晃好 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J133/04;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子部件的制造方法，其在使用粘合片制造电子部件时，通过将该粘合片中带电的电荷在短时间内有效地除电，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。本发明为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，该制造方法至少具有以下工序：将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和在除电后的前述粘合剂层上贴合电子部件的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子部件的制造方法，其为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，作为所述粘合片，使用所述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，所述制造方法至少具有以下工序：将所述隔离膜从所述粘合剂层剥离的工序；和除去所述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和在除电后的所述粘合剂层上贴合电子部件的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
