[发明专利]电子部件的制造方法有效
| 申请号: | 201180004835.9 | 申请日: | 2011-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN102741983A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
| 发明(设计)人: | 东别府优树;山本晃好 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02;C09J133/04;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 部件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜、且具有除电效果的粘合片的电子部件的制造方法。
背景技术
近年来,伴随着以半导体装置为代表的电子部件的高精密化、高集成化,存在制造工序中电子部件的带电会影响其后的特性的担心。例如,在半导体装置的制造工序中切割半导体晶圆时,在该半导体晶圆的背面贴合切割用的粘合片而进行。该粘合片是例如在基材上依次层叠有粘合剂层和隔离膜的结构。隔离膜在使用粘合片时被剥离,在剥离时有时会在分离成2个的隔离膜和粘合剂层的表面产生电荷而带电。将半导体晶圆贴合在这种带电状态的粘合剂层上的情况下,有时会引起对前述半导体晶圆的放电。其结果,根据不同情况,存在形成于半导体晶圆表面的电路被破坏而不能正常工作的问题。
针对该问题,在下述专利文献1中公开了通过在粘合剂层中添加表面活性剂等抗静电剂,使粘合剂层表面的带电电荷量减少的发明。但是,近年来,从作为电子部件的半导体装置的角度来看,小型化飞速发展,抗静电、以及为了能够进行精密的加工的加工时的半导体晶圆的保持性变得重要。以往添加抗静电剂的粘合剂层中,有时抗静电剂偏析在粘合剂层表面,从而粘合力降低,不能进行精密的加工。另外,仅添加抗静电剂有时粘合剂层表面的带电电位的降低不充分,依然有半导体晶圆表面的电路破坏,导致不能正常工作的担忧。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-285134号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明鉴于前述问题点而进行,其目的在于,提供一种电子部件的制造方法,其中,在使用粘合片制造电子部件时,通过短时间内有效地除去该粘合片上带电的电荷,可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。
用于解决问题的方案
本申请发明人等为了解决前述现有的问题,对电子部件的制造方法进行了研究。结果发现,通过采用下述构成,可解决前述课题,从而完成了本发明。
即,本发明的电子部件的制造方法的特征在于,其是为了解决前述课题,使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法,其中,作为前述粘合片,使用前述粘合剂层的表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片,所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定,该方法至少具有以下工序:将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序;和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序;和将电子部件贴合在除电后的前述粘合剂层上的工序。
在用隔离膜保护表面的粘合剂层中,存在剥离隔离膜时在粘合剂层表面带有电荷的情况。对于该带电电荷,可通过在将电子部件贴合于粘合剂层之前进行除电来除去或减少。在此处,本发明中,作为粘合片,使用具有表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合剂层的粘合片,所述半衰期利用基于JIS L 1094的电荷衰减测定法测定。为这种粘合片时,能够在短时间内高效 地进行粘合剂层表面的除电,因此在将电子部件粘附在粘合剂层上时也能够充分抑制对电子部件的放电。其结果,可谋求电子部件的制造产量的提高。
在前述构成中,作为前述粘合片,优选使用在前述粘合剂层中相对于其基础聚合物100重量份添加有0.01重量份~30重量份范围内的离子液体的粘合片。如果为在粘合剂层中添加有离子液体的粘合片,则可赋予该粘合剂层以导电性。其结果,即使由隔离膜的剥离而导致在粘合剂层表面带有电荷,也能够促进放电,因此除电变得容易。另外,由于离子液体能够在粘合剂层中均匀地存在,因此可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。在此处,通过将离子液体的添加量相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为0.01重量份以上,可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。另一方面,通过将前述添加量相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为30重量份以下,可防止将粘合片从电子部件剥离时的污染。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





