[发明专利]用于确定对准误差的装置、设备和方法有效
申请号: | 201180004739.4 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102656678A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | M.温普林格 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;王忠忠 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于确定由于当第一基底(1)连接于第二基底(2)时第一基底(1)相对于第二基底(2)的应变和/或变形而发生的局部对准误差的装置、设备和方法,并且所述装置、设备和方法用于特别地通过晶圆中的至少一个的至少一个透明区域,借助于在晶圆的对准期间和/或之后记录的晶圆的位置图、应变图和/或应力图进行两个晶圆的对准,可选地,两个晶圆相对于彼此的相对位置特别地在原地被校正。 | ||
搜索关键词: | 用于 确定 对准 误差 装置 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种装置,用于确定由于当第一基底(1)连接于第二基底(2)时所述第一基底(1)相对于所述第二基底(2)的应变和/或变形而出现的局部对准误差,所述装置具有以下特征:– 能够通过初始检测装置检测沿所述第一基底(1)的第一接触表面(1k)的应变值的第一应变图和/或沿所述第一接触表面(1k)的应力值的第一应力图,和/或– 能够通过所述检测装置检测沿第二接触表面(2k)的应变值的第二应变图和/或沿所述第二接触表面(2k)的应力值的第二应力图,以及– 评价装置,所述评价装置用于评价所述第一应变图和/或所述第二应变图和/或所述第一应力图和/或所述第二应力图,能够通过所述评价装置确定局部对准误差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司,未经EV集团E·索尔纳有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180004739.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种PVC稳定剂混合装置
- 下一篇:一种电石渣\白泥预处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造