[发明专利]用于确定对准误差的装置、设备和方法有效
申请号: | 201180004739.4 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102656678A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | M.温普林格 | 申请(专利权)人: | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;王忠忠 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 对准 误差 装置 设备 方法 | ||
1.一种装置,用于确定由于当第一基底(1)连接于第二基底(2)时所述第一基底(1)相对于所述第二基底(2)的应变和/或变形而出现的局部对准误差,所述装置具有以下特征:
– 能够通过初始检测装置检测沿所述第一基底(1)的第一接触表面(1k)的应变值的第一应变图和/或沿所述第一接触表面(1k)的应力值的第一应力图,和/或
– 能够通过所述检测装置检测沿第二接触表面(2k)的应变值的第二应变图和/或沿所述第二接触表面(2k)的应力值的第二应力图,以及
– 评价装置,所述评价装置用于评价所述第一应变图和/或所述第二应变图和/或所述第一应力图和/或所述第二应力图,能够通过所述评价装置确定局部对准误差。
2. 根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置考虑第一对准键(3.1至3.n)的第一位置图和/或第二对准键(4.1至4.n)的第二位置图,特别是在所述评价装置的确定时。
3. 一种设备,用于确定由于当第一基底(1)连接于第二基底(2)时所述第一基底(1)相对于所述第二基底(2)的应变和/或变形而出现的局部对准误差,所述设备具有以下特征:
– 能够通过初始检测装置检测沿所述第一基底(1)的第一接触表面(1k)的应变值的第一初始应变图和/或沿所述第一接触表面(1k)的应力值的第一初始应力图,和/或
– 能够通过所述初始检测装置检测沿第二接触表面(2k)的应变值的第二初始应变图和/或沿所述第二接触表面(2k)的应力值的第二初始应力图,以及
– 根据权利要求1所述的装置,在所述局部对准误差的确定时,所述第一初始应变图和/或所述第二初始应变图和/或所述第一初始应力图和/或所述第二初始应力图能够被所述评价装置考虑。
4.一种设备,用于将能够容纳在第一平台(10)上的第一基底(1)的第一接触表面(1k)与能够容纳在第二平台(20)上的第二基底(2)的第二接触表面(2k)相连,所述设备具有以下特征:
– 能够由位置检测装置(7、8)检测沿所述第一接触表面(1k)设置的第一对准键(3.1至3.n,50’)的第一位置图,
– 能够由位置检测装置(7、8)检测沿所述第二接触表面(2k)设置的第二对准键(4.1至4.n,50)的第二位置图,
– 根据权利要求1或2所述的装置或者根据权利要求3所述的设备,
– 计算装置,所述计算装置用于基于所述第一位置图的值和所述第二位置图的值确定所述第一接触表面(1k)的第一对准位置和所述第二接触表面(2k)的第二对准位置,
– 对准装置,所述对准装置用于使所述第一接触表面(1k)对准到所述第一对准位置以及使所述第二接触表面(2k)对准到所述第二对准位置,
– 用于连接所述第一基底(1)和所述第二基底(2)的装置,以及
– 根据权利要求1或2所述的装置或者根据权利要求3所述的设备。
5. 根据权利要求4所述的设备,其中,存在用于在所述基底(1、2)的连接期间特别是在原地检查所述第一对准位置和/或所述第二对准位置的检测装置。
6. 根据权利要求5所述的设备,其中,所述检查通过所述第一基底(1)和/或所述第二基底(2)的透明区域(40)进行。
7. 根据权利要求5或6所述的设备,其中,一次存在至少两个、优选为四个相应的对准键(3.1至3.4,4.1至4.4)用于检查。
8. 一种方法,用于确定由于当第一基底(1)连接于第二基底(2)时所述第一基底(1)相对于所述第二基底(2)的应变和/或变形而出现的局部对准误差,所述方法具有特别以下列顺序进行的下列步骤:
– 通过检测装置检测沿所述第一基底(1)的第一接触表面(1k)的应变值的第一应变图和/或沿所述第一接触表面(1k)的应力值的第一应力图,和/或
– 通过检测装置检测沿第二接触表面(2k)的应变值的第二应变图和/或沿所述第二接触表面(2k)的应力值的第二应力图,以及
– 通过评价装置评价所述第一应变图和/或所述第二应变图和/或所述第一应力图和/或所述第二应力图以及确定所述局部对准误差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造