[发明专利]具有碳化硅衬底的复合衬底无效
申请号: | 201180004270.4 | 申请日: | 2011-06-17 |
公开(公告)号: | CN102576659A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 堀勉;原田真;井上博挥;佐佐木信;伊藤里美;冲田恭子;并川靖生 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2),并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此,能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。 | ||
搜索关键词: | 具有 碳化硅 衬底 复合 | ||
【主权项】:
一种复合衬底(81),包括:支撑部(30);第一碳化硅衬底(11),所述第一碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第一背面(B 1)、与所述第一背面相反的第一正面(T 1)、以及将所述第一背面和所述第一正面彼此连接的第一侧面(S1),第二碳化硅衬底(12),所述第二碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第二背面(B2)、与所述第二背面相反的第二正面(T2)、以及将所述第二背面和所述第二正面彼此连接的第二侧面(S2),并且在所述第一侧面和所述第二侧面之间形成有间隙(GP);以及封闭部(21),所述封闭部用于封闭所述间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造