[发明专利]具有碳化硅衬底的复合衬底

权利要求书

1.一种复合衬底(81)，包括：

支撑部(30)；

第一碳化硅衬底(11)，所述第一碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第一背面(B 1)、与所述第一背面相反的第一正面(T 1)、以及将所述第一背面和所述第一正面彼此连接的第一侧面(S1)，

第二碳化硅衬底(12)，所述第二碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第二背面(B2)、与所述第二背面相反的第二正面(T2)、以及将所述第二背面和所述第二正面彼此连接的第二侧面(S2)，并且在所述第一侧面和所述第二侧面之间形成有间隙(GP)；以及

封闭部(21)，所述封闭部用于封闭所述间隙。

2.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述第一和第二碳化硅衬底中的每个碳化硅衬底具有单晶结构。

3.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述封闭部由碳化硅制成。

4.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述封闭部具有在所述第一和第二碳化硅衬底上外延生长的至少一部分。

5.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述支撑部由碳化硅制成。

6.根据权利要求5所述的复合衬底，其中，

所述支撑部的微管密度比所述第一和第二碳化硅衬底中的每个碳化硅衬底的微管密度高。

7.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述间隙具有100μm或更小的宽度(LG)。

8.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述封闭部的厚度不小于所述间隙的宽度的1/100。

9.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述封闭部(21V)包括位于所述第一和第二碳化硅衬底上的第一部分(21a)以及位于所述第一部分上的第二部分(21b)，并且所述第二部分的杂质浓度比所述第一部分的杂质浓度低。

10.根据权利要求1所述的复合衬底，其中，

所述第一正面相对于所述第一碳化硅衬底的{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角，并且所述第二正面相对于所述第二碳化硅衬底的{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。

11.根据权利要求10所述的复合衬底，其中，

所述第一正面的偏离取向与所述第一碳化硅衬底的<1-100>方向形成5°或更小的角度，并且所述第二正面的偏离取向与所述第二碳化硅衬底的<1-100>方向形成5°或更小的角度。

12.根据权利要求11所述的复合衬底，其中，

所述第一正面在所述第一碳化硅衬底的<1-100>方向上相对于{03-38}面具有不小于-3°且不大于5°的偏离角，并且所述第二正面在所述第二碳化硅衬底的<1-100>方向上相对于{03-38}面具有不小于-3°且不大于5°的偏离角。

13.根据权利要求10所述的复合衬底，其中，

所述第一正面的偏离取向与所述第一碳化硅衬底的<11-20>方向形成5°或更小的角度，并且所述第二正面的偏离取向与所述第二碳化硅衬底的<11-20>方向形成5°或更小的角度。