[发明专利]清洁碳化硅半导体的方法和用于清洁碳化硅半导体的装置无效
| 申请号： | 201180004208.5 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102687250A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 宫崎富仁;和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洁SiC半导体的方法，所述方法包括在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)的步骤(步骤S2)和除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，使用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，优选使用氟等离子体作为卤素等离子体。能够对所述SiC半导体(1)进行清洁，使得实现良好的表面特性。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 碳化硅 半导体 方法 用于 装置 | ||
【主权项】：
一种清洁碳化硅半导体的方法，所述方法包括如下步骤：在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)；和除去所述氧化膜(3)，在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，使用卤素等离子体或氢等离子体。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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