[发明专利]清洁碳化硅半导体的方法和用于清洁碳化硅半导体的装置无效
| 申请号： | 201180004208.5 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102687250A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 宫崎富仁;和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洁 碳化硅 半导体 方法 用于 装置 | ||
1.一种清洁碳化硅半导体的方法，所述方法包括如下步骤：
在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)；和
除去所述氧化膜(3)，
在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，使用卤素等离子体或氢等离子体。
2.如权利要求1所述的清洁碳化硅半导体的方法，其中
在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，使用氟等离子体作为所述卤素等离子体。
3.如权利要求1所述的清洁碳化硅半导体的方法，其中
在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，在20℃以上且400℃以下的温度下除去所述氧化膜(3)。
4.如权利要求1所述的清洁碳化硅半导体的方法，其中
在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，在0.1Pa以上且20Pa以下的压力下除去所述氧化膜(3)。
5.如权利要求1所述的清洁碳化硅半导体的方法，其中
在所述形成氧化膜(3)的步骤中，使用氧等离子体。
6.如权利要求1所述的清洁碳化硅半导体的方法，其中
在所述形成氧化膜(3)的步骤和所述除去所述氧化膜(3)的步骤之间，将所述碳化硅半导体(1)设置在与空气隔绝的气氛中。
7.一种用于清洁碳化硅半导体的装置，其包含：
形成部(11)，所述形成部用于在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)；
除去部(12)，所述除去部用于利用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜；以及
连接部(13)，所述连接部用于将所述形成部(11)和所述除去部(12)相互连接以使得可以在其中运送所述碳化硅半导体(1)，其中
所述连接部(13)中的用于运送所述碳化硅半导体(2)的区域可以与空气隔绝。
8.一种用于清洁碳化硅半导体的装置，其包含：
形成部(11)，所述形成部用于在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)；和
除去部(12)，所述除去部用于利用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜(3)，
所述形成部(11)和所述除去部(12)同一。
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