[发明专利]激光退火处理装置、激光退火处理体的制造方法及激光退火处理程序有效
申请号: | 201180003017.7 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102473615A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 吉泽太一;郑石焕 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明能使激光退火处理中使用的脉冲激光的脉冲波形稳定,从而实现均匀的退火处理。本发明的激光退火处理装置包括:气体激发脉冲激光振荡器;以规定的衰减率使从气体激发脉冲激光振荡器输出的脉冲激光透过的可变衰减器;将透过可变衰减器后的脉冲激光引导至被处理体的光学系统;以及进行第一控制的控制部,该第一控制对所述气体激发脉冲激光振荡器的所述脉冲激光的输出值进行调节,控制部进行第二控制,该第二控制根据气体激发脉冲激光振荡器内的气体劣变,使由第一控制所调节的所述输出值下降,并减小可变衰减器的衰减率,从而抑制脉冲波形的变化,消除每个脉冲的不均。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 处理 装置 制造 方法 程序 | ||
【主权项】:
一种激光退火处理装置,其特征在于,包括:气体激发脉冲激光振荡器;可变衰减器,该可变衰减器以规定的衰减率使从该气体激发脉冲激光振荡器输出的脉冲激光透过;光学系统,该光学系统将透过该可变衰减器的脉冲激光引导至被处理体;以及控制部,该控制部进行第一控制,该第一控制对所述气体激发脉冲激光振荡器的所述脉冲激光的输出值进行调节,所述控制部进行第二控制,该第二控制根据所述气体激发脉冲激光振荡器内的气体劣变,降低由所述第一控制所调节的所述输出值,并减小所述可变衰减器的衰减率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造