[实用新型]一种半导体外延生长结构有效
| 申请号： | 201120544059.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN202513198U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 周志文;张卫丰;王新中 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 易钊 |
| 地址： | 518029 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体外延生长结构，用于降低锗薄膜的位错密度，包括Si衬底、覆盖在所述Si衬底上的Ge晶籽层、覆盖在所述Ge晶籽层上的Ge缓冲层、覆盖在所述Ge缓冲层上的Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层、以及覆盖在所述Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层上的Ge外延层。本实用新型中的Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层能够阻碍位错向外延层的传输，降低了外延薄膜的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 生长 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体外延生长结构，用于降低锗薄膜的位错密度，其特征在于，包括Si衬底（100）、覆盖在所述Si衬底（100）上的Ge晶籽层（200）、覆盖在所述Ge晶籽层（200）上的Ge缓冲层（300）、覆盖在所述Ge缓冲层（300）上的Ge/Si1‑xGex超晶格阻挡层（400）、以及覆盖在所述Ge/Si1‑xGex超晶格阻挡层（400）上的Ge外延层（500）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳信息职业技术学院，未经深圳信息职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120544059.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种鼠标
- 下一篇：太阳能电池背板膜的余热回收系统
