[实用新型]一种半导体外延生长结构有效
| 申请号： | 201120544059.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN202513198U | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 周志文;张卫丰;王新中 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 易钊 |
| 地址： | 518029 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 生长 结构 | ||
1.一种半导体外延生长结构，用于降低锗薄膜的位错密度，其特征在于，包括Si衬底（100）、覆盖在所述Si衬底（100）上的Ge晶籽层（200）、覆盖在所述Ge晶籽层（200）上的Ge缓冲层（300）、覆盖在所述Ge缓冲层（300）上的Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层（400）、以及覆盖在所述Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层（400）上的Ge外延层（500）。
2.根据权利要求1所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Si衬底（100）包括Si晶圆；且所述Si衬底（100）包括4英寸、6英寸或8英寸的Si衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge晶籽层（200）的厚度为30-100纳米。
4.根据权利要求1所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge缓冲层（300）的厚度为70-300纳米。
5.根据权利要求1所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层（400）包括交替生长的Si1-xGex垒层、以及Ge量子阱层。
6.根据权利要求5所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Si1-xGex垒层的厚度为5-20纳米,其中0.8＜x＜0.95；所述Ge量子阱层的厚度为5-10纳米。
7.根据权利要求5所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层（400）的周期数为3-10。
8.根据权利要求1所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge外延层（500）的厚度为0.4-3微米。
9.根据权利要求1或8任一项所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述Ge外延层（500）包括高锗组分的Si1-yGey合金，其中0.8＜y＜1。
10.根据权利要求9所述的半导体外延生长结构，其特征在于，所述高锗组分的Si1-yGey合金的厚度为0.4-3微米。
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