[实用新型]单晶硅制造装置炉室结构有效

专利信息
申请号: 201120537541.X 申请日: 2011-12-21
公开(公告)号: CN202415729U 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 袁文宝 申请(专利权)人: 卉欣光电科技(江苏)有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225507 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种单晶硅制造装置炉室结构,它包括副室外壳、主室外壳、石英坩埚、石墨坩埚、石墨加热器、石墨隔套;石墨隔套套装在主室外壳内壁;在副室外壳侧壁上设有氩气进口,在主室外壳下部设有氩气出口;本实用新型改进在于:在石墨坩埚、石墨加热器、石墨隔套上镀上一层SiC;石墨隔套由石墨绝缘材料制成,为上端带法兰边的套状构件,与主室外壳内壁、底壁形成夹腔;在石墨隔套法兰边上设有与夹腔相通的孔,形成轴向气流通道,在石墨隔套侧壁上设有与夹腔相通的孔,形成径向气流通道;氩气出口与夹腔相通。本实用新型能将从石英坩埚内熔体表面挥发的大部分SiO气体有效地被氩气带出炉室,有效减少CO气体的生成,从而显著降低生长的单晶硅碳污染程度。
搜索关键词: 单晶硅 制造 装置 结构
【主权项】:
一种单晶硅制造装置炉室结构,它包括副室外壳(1)、主室外壳(2)、石英坩埚(5)、石墨坩埚(7)、石墨加热器(6)、石墨隔套(8);所述石英坩埚(5)置于石墨坩埚(7)内,石墨加热器(6)设置在石墨坩埚(7)的周围;从石英坩埚(5)内的熔硅(4)中拉出柱状单晶硅(3);所述石墨隔套(8)套装在主室外壳(2)内壁,将石墨加热器(6)包围在其内侧空间;在副室外壳(1)侧壁上设有氩气进口(1.1),在主室外壳(2)下部设有氩气出口(2.1);其特征在于:在所述石墨坩埚(7)、石墨加热器(6)、石墨隔套(8)上镀上一层SiC;所述石墨隔套(8)由石墨绝缘材料制成,为上端带外翻法兰边的套状构件,其与主室外壳(2)内壁、底壁形成夹腔(8.2);在石墨隔套(8)的法兰边上设有与夹腔(8.2)相通的孔(8.1),形成轴向气流通道,在石墨隔套(8)的侧壁上设有与夹腔(8.2)相通的孔(8.3),形成径向气流通道;所述氩气出口(2.1)与夹腔(8.2)相通。
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