[实用新型]单晶硅制造装置炉室结构

权利要求书

1.一种单晶硅制造装置炉室结构，它包括副室外壳（1）、主室外壳（2）、石英坩埚（5）、石墨坩埚（7）、石墨加热器（6）、石墨隔套（8）；所述石英坩埚（5）置于石墨坩埚（7）内，石墨加热器（6）设置在石墨坩埚（7）的周围；从石英坩埚（5）内的熔硅（4）中拉出柱状单晶硅（3）；所述石墨隔套（8）套装在主室外壳（2）内壁，将石墨加热器（6）包围在其内侧空间；在副室外壳（1）侧壁上设有氩气进口（1.1），在主室外壳（2）下部设有氩气出口（2.1）；其特征在于：在所述石墨坩埚（7）、石墨加热器（6）、石墨隔套（8）上镀上一层SiC；所述石墨隔套（8）由石墨绝缘材料制成，为上端带外翻法兰边的套状构件，其与主室外壳（2）内壁、底壁形成夹腔（8.2）；在石墨隔套（8）的法兰边上设有与夹腔（8.2）相通的孔（8.1），形成轴向气流通道，在石墨隔套（8）的侧壁上设有与夹腔（8.2）相通的孔（8.3），形成径向气流通道；所述氩气出口（2.1）与夹腔（8.2）相通。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制造装置炉室结构，其特征在于：所述氩气出口（2.1）设在主室外壳（2）的底壁上。

3.根据权利要求1所述的单晶硅制造装置炉室结构，其特征在于：所述氩气出口（2.1）设在主室外壳（2）的侧壁上。