[实用新型]一种变频器用可控硅触发电路有效
| 申请号: | 201120529301.5 | 申请日: | 2011-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN202395643U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
| 发明(设计)人: | 罗庆林;曹怀亮 | 申请(专利权)人: | 湘潭电气设备制造有限责任公司 |
| 主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06 |
| 代理公司: | 湘潭市汇智专利事务所 43108 | 代理人: | 宋长珠 |
| 地址: | 420001 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种变频器用可控硅触发电路。它包括七个电阻、一个快速恢复二极管、一个MOSFET场效应晶体管、两个控制信号输入端、三个可控硅触发引出端、两个接线端子、一个LED发光二极管和一个预充电可控硅。本实用新型解决了架线式工矿电机车用变频器频繁启停、预充电可控硅触发要求,可靠性大大提高,达到免维护无故障运行的目的,保障了工矿电机的正常运行,提高了生产效率,具有良好的经济和社会效益。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 变频 器用 可控硅 触发 电路 | ||
【主权项】:
一种变频器用可控硅触发电路,其特征在于:包括七个电阻、一个快速恢复二极管、一个MOSFET场效应晶体管、两个控制信号输入端、三个可控硅触发引出端、两个接线端子、一个LED发光二极管和一个预充电可控硅,所述的第一个电阻与LED发光二极管串联后并联在两个控制信号输入端两端,第二个电阻和第三个电阻串联后一端与一个控制信号输入端连接,另一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,第四个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,另一端与另一个控制信号输入端连接,所述的快速恢复二极管一端与MOSFET场效应晶体管的漏极连接,另一端与第一个可控硅触发引出端连接,所述的第五个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第二个可控硅触发引出端连接,所述的第七个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第三个可控硅触发引出端连接,所述的第六个电阻并联在第二个可控硅触发引出端和第三个可控硅触发引出端之间,所述的三个可控硅触发引出端分别与预充电可控硅连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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