[实用新型]一种变频器用可控硅触发电路有效

专利信息
申请号: 201120529301.5 申请日: 2011-12-17
公开(公告)号: CN202395643U 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 罗庆林;曹怀亮 申请(专利权)人: 湘潭电气设备制造有限责任公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所 43108 代理人: 宋长珠
地址: 420001 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 变频 器用 可控硅 触发 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种可控硅触发电路,更具体的说是一种变频器用可控硅触发电路。

背景技术

电力电子技术的迅速发展,在高电压、大电流的变流装置中可控硅的广泛应用,在高电压、大电流可控硅控制装置中,常用的触发电路比较复杂、功耗大、故障率高、可靠性低。

发明内容

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种电路简单、可靠性高、自动触发、自动候机、触发完成自动关断控制信号、功耗低的变频器用可控硅触发电路。

本实用新型解决上述的技术问题的技术方案是:包括七个电阻、一个快速恢复二极管、一个MOSFET场效应晶体管、两个控制信号输入端、三个可控硅触发引出端、一个LED发光二极管和一个预充电可控硅,所述的第一个电阻与LED发光二极管串联后并联在两个控制信号输入端两端,第二个电阻和第三个电阻串联后一端与一个控制信号输入端连接,另一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,第四个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,另一端与另一个控制信号输入端连接,所述的快速恢复二极管一端与MOSFET场效应晶体管的漏极连接,另一端与第一个可控硅触发引出端连接,所述的第五个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第二个可控硅触发引出端连接,所述的第七个电阻一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第三个可控硅触发引出端连接,所述的第六个电阻并联在第二个可控硅触发引出端和第三个可控硅触发引出端之间,所述的三个可控硅触发引出端分别与预充电可控硅连接。

由于采用上述技术方案,本实用新型的有益效果是:该实用新型解决了架线式工矿电机车用变频器频繁启停、预充电可控硅触发要求,可靠性大大提高,达到免维护无故障运行的目的,保障了工矿电机的正常运行,提高了生产效率,具有良好的经济和社会效益。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

图2为工矿电机车变流装置的预充电可控硅触发电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:

如图1和图2所示,一种变频器用可控硅触发电路,包括七个电阻(R1、R2、 R3、 R4 、R5、 R6 、R7)、一个快速恢复二极管D1、一个MOSFET场效应晶体管V1、两个控制信号输入端(IN+、IN-)、三个可控硅触发引出端(K1、G2、K2)、两个接线端子(J1、J2)、一个LED发光二极管LED1和一个预充电可控硅Q1,所述的第一个电阻R1与LED发光二极管LED1串联后并联在两个控制信号输入端(IN+、IN-)两端,第二个电阻R2和第三个电阻R3串联后一端与一个控制信号输入端IN+连接,另一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,第四个电阻R4一端与MOSFET场效应晶体管的栅极连接,另一端与另一个控制信号输入端IN-连接,所述的快速恢复二极管D1一端与MOSFET场效应晶体管的漏极连接,另一端与第一个可控硅触发引出端K1连接,所述的第五个电阻R5一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第二个可控硅触发引出端G2连接,所述的第七个电阻R7一端与MOSFET场效应晶体管的源极连接,另一端与第三个可控硅触发引出端K2连接,所述的第六个电阻R6并联在第二个可控硅触发引出端G2和第三个可控硅触发引出端K2之间,所述的三个可控硅触发引出端(K1、G2、K2)分别与预充电可控硅Q1连接。

图2中虚线框表示工矿电机车变流装置。控制信号IN+、IN-(DC 5~24V)经R1、LED1作状态指示,经 R2、R3、 R4驱动2SK2225场效应晶体管V1, K1端(DC 550V)经FR307快速恢复二极管D1、2SK2225场效应晶体管V1、R5、R7、R6限流电阻触发可控硅Q1导通。DC 550V电源向功率单元、负载供电,当可控硅Q1导通后, K1、K2间仅有可控硅导通压降(约为0.8v),相当于切除触发电路,自然降低触发电路功耗,控制触发信号处于候机状态,运行过程中一旦可控硅Q1关断,会使K1、K2间电压升高到DC 550V,自动形成触发信号,使触发可控硅Q1迅速可靠导通。

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