[实用新型]单平衡混频器有效

专利信息
申请号: 201120527968.1 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN202374220U 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 李国儒;李云初 申请(专利权)人: 苏州云芯微电子科技有限公司
主分类号: H03D7/14 分类号: H03D7/14
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215332 江苏省苏州市昆山市花*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种单平衡有源混频器,包括RF输入信号,所述RF输入信号与第一MOS管的栅极相连接,所述第一MOS管的源极接地、漏极与第二MOS管、第三MOS管的源极相连接;所述第二MOS管和第三MOS管的两个栅极分别连接本振信号、两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电阻和第二电阻,还包括第四MOS管和第五MOS管,所述第四MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第二MOS管的漏极;所述第五MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极。本实用新型还公开了一种单平衡无源混频器。本实用新型解决了现有技术中混频器的转换增益低的问题,通过优化电路结构都增加了混频器的转换增益,优化噪声系数。
搜索关键词: 平衡混频器
【主权项】:
一种单平衡混频器,包括RF输入信号,所述RF输入信号与第一MOS管的栅极相连接,所述第一MOS管的源极接地、漏极与第二MOS管、第三MOS管的源极相连接;所述第二MOS管和第三MOS管的两个栅极分别连接本振信号、两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电阻和第二电阻,其特征在于:还包括第四MOS管和第五MOS管,所述第四MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第二MOS管的漏极;所述第五MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极。
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