[实用新型]单平衡混频器有效
申请号: | 201120527968.1 | 申请日: | 2011-12-16 |
公开(公告)号: | CN202374220U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 李国儒;李云初 | 申请(专利权)人: | 苏州云芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215332 江苏省苏州市昆山市花*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种单平衡有源混频器,包括RF输入信号,所述RF输入信号与第一MOS管的栅极相连接,所述第一MOS管的源极接地、漏极与第二MOS管、第三MOS管的源极相连接;所述第二MOS管和第三MOS管的两个栅极分别连接本振信号、两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电阻和第二电阻,还包括第四MOS管和第五MOS管,所述第四MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第二MOS管的漏极;所述第五MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极。本实用新型还公开了一种单平衡无源混频器。本实用新型解决了现有技术中混频器的转换增益低的问题,通过优化电路结构都增加了混频器的转换增益,优化噪声系数。 | ||
搜索关键词: | 平衡混频器 | ||
【主权项】:
一种单平衡混频器,包括RF输入信号,所述RF输入信号与第一MOS管的栅极相连接,所述第一MOS管的源极接地、漏极与第二MOS管、第三MOS管的源极相连接;所述第二MOS管和第三MOS管的两个栅极分别连接本振信号、两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电阻和第二电阻,其特征在于:还包括第四MOS管和第五MOS管,所述第四MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第二MOS管的漏极;所述第五MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州云芯微电子科技有限公司,未经苏州云芯微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120527968.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。