[实用新型]单平衡混频器有效
| 申请号： | 201120527968.1 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN202374220U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 李国儒;李云初 | 申请（专利权）人： | 苏州云芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215332 江苏省苏州市昆山市花*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平衡混频器 | ||
1.一种单平衡混频器，包括RF输入信号，所述RF输入信号与第一MOS管的栅极相连接，所述第一MOS管的源极接地、漏极与第二MOS管、第三MOS管的源极相连接；所述第二MOS管和第三MOS管的两个栅极分别连接本振信号、两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电阻和第二电阻，其特征在于：还包括第四MOS管和第五MOS管，所述第四MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第二MOS管的漏极；所述第五MOS管的漏极与直流电源相连接、栅极连接本振信号、源极连接第三MOS管的漏极。
2.根据权利要求1所述的单平衡混频器，其特征在于：所述第二MOS管和第三MOS管的两个漏极之间连接有两个相互串联的第一电容和第二电容，且两个电容中间接地。
3.根据权利要求1或2所述的单平衡混频器，其特征在于：所述第一MOS管的栅极上还连接有一偏置电压，所述栅极与偏置电压之间还连接有第三电阻，所述第三电阻与RF输入信号之间连接有第三电容。
4.一种单平衡混频器，包括RF输入信号，所述RF输入信号分别与第六MOS管、第七MOS管的漏极相连接，所述第六MOS管、第七MOS管的两个栅极分别连接本振信号，两个源极之间连接有两个相互串联的第四电阻和第五电阻，其特征在于：还包括第八MOS管和第九MOS管，所述第八MOS管的漏极接地、栅极连接本振信号、源极连接第六MOS管的源极；所述第九MOS管的漏极接地、栅极连接本振信号、源极连接第七MOS管的源极。
5.根据权利要求4所述的单平衡混频器，其特征在于：所述第六MOS管和第七MOS管的两个源极之间连接有两个相互串联的第四电容和第五电容，且两个电容中间接地。
6.根据权利要求4或5所述的单平衡混频器，其特征在于：所述RF输入信号与第六MOS管的漏极之间连接有第六电容；第六电阻的一端连接第六MOS管的漏极，另一端接地。
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