[实用新型]一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚有效
| 申请号： | 201120512832.3 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN202390579U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨立文;杨志民;李翠;蒋秉轩 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚，包括坩埚体和顶盖，该坩埚体内壁圆周上设有平台，该平台上设有导流锥，该导流锥为圆台状的筒体，其顶部尺寸与顶盖上籽晶片的尺寸相匹配；所述顶盖上设有提拉装置。该提拉装置包括提拉盘和提拉轴，该提拉盘与提拉轴之间螺纹连接，该提拉盘的下部与顶盖螺纹连接。本实用新型的石墨坩埚，在坩埚体内设置导流锥，导流锥将高温下碳化硅气体束集到籽晶表面，顶盖内锥与导流锥形成互补的形状减轻了气体的逸散，从而实现碳化硅近距离平衡态生长，提高碳化硅晶体的质量。该石墨坩埚的顶盖上部设置的提拉盘，在实验结束后，只需更换顶盖便可以再次做实验，其余部件可以重复使用，进一步提高了碳化硅的产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 物理 输运 生长 碳化硅 单晶用 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚，包括坩埚体和顶盖，其特征在于：该坩埚体内壁圆周上设有平台，该平台上设有导流锥，该导流锥为圆台状的筒体，其顶部尺寸与顶盖上籽晶片的尺寸相匹配；所述顶盖上设有提拉装置。
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