[实用新型]一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚有效
| 申请号： | 201120512832.3 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN202390579U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 杨立文;杨志民;李翠;蒋秉轩 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 输运 生长 碳化硅 单晶用 石墨 坩埚 | ||
1.一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚，包括坩埚体和顶盖，其特征在于：该坩埚体内壁圆周上设有平台，该平台上设有导流锥，该导流锥为圆台状的筒体，其顶部尺寸与顶盖上籽晶片的尺寸相匹配；所述顶盖上设有提拉装置。
2.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于：所述提拉装置包括提拉盘和提拉轴，该提拉盘与提拉轴之间螺纹连接，该提拉盘的下部与顶盖螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于：所述顶盖的形状与所述导流锥的形状互补，其内椎锥面的斜率大于或等于所述导流锥锥面的斜率。
4.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于：所述顶盖的上表面设有凹槽，该凹槽的位置与顶盖上籽晶片的位置相对应。
5.根据权利要求2所述的石墨坩埚，其特征在于：所述提拉盘在中心位置上设有通孔。
6.根据权利要求3所述的石墨坩埚，其特征在于：所述顶盖的外柱面与坩埚体内壁之间的距离为1-3mm。
7.根据权利要求1所述的石墨坩埚，其特征在于：所述导流锥设置在坩埚体的中上部，其高度略低于所述平台至坩埚顶部的距离。
8.根据权利要求1-7任一项所述的石墨坩埚，其特征在于：所述坩埚体的壁厚为5-15mm，所述导流锥的壁厚为3-5mm。
9.根据权利要求8所述的石墨坩埚，其特征在于：所述平台的宽度为3-7mm。
10.根据权利要求9所述的石墨坩埚，其特征在于：所述平台的宽度为5mm。
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