[实用新型]一种电涡流缓速器控制器的保护电路有效
| 申请号： | 201120507491.0 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN202564932U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 谢永进;梁爽 | 申请（专利权）人： | 凯迈(洛阳)电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H3/08 |
| 代理公司： | 郑州中民专利代理有限公司 41110 | 代理人： | 郭中民 |
| 地址： | 471003 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开的电涡流缓速器控制器保护电路主要由大功率瞬态抑制二极管(VD1)、肖特基二极管(VD3)、电容器(C1)、电压比较器(N1)、电阻器组成。刹车信号经过电压比较器(N1)处理之后控制大功率MOSFET管(VT1)的动作，瞬态抑制二极管(VD1)、肖特基二极管(VD3)、电容器(C1)用于吸收线圈工作后的反向电动势，电阻器连接于MOSFET管(VT1)的两端，控制短路保护启动。本实用新型设计合理、成本低。可以使电涡流缓速器控制器在应用上更稳定、寿命更长，改善目前市场上大功率模块控制的电涡流缓速器控制器经常损坏的状况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 涡流 缓速器 控制器 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种电涡流缓速器控制器的保护电路，其特征在于：主要由大功率MOSFET管(VT1)、瞬态抑制二极管(VD1)、肖特基二极管(VD3)、电容器(C1)、电压比较器(N1)、电阻器组成，刹车信号经过电压比较器(N1)处理之后控制大功率MOSFET管(VT1)的动作，瞬态抑制二极管(VD1)、肖特基二极管(VD3)、电容器(C1)用于吸收线圈工作后的反向电动势，电阻器连接于MOSFET管(VT1)的两端，控制短路保护启动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯迈(洛阳)电子有限公司，未经凯迈(洛阳)电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120507491.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数控冲孔、切割复合加工机
- 下一篇：一种三值低功耗多米诺JKL触发器
