[实用新型]用于测试MOSFET的电路

摘要

本实用新型提供了一种用于测试MOSFET的电路。在本实用新型中，冲击电流是通过将NMOSFET的源极电压或者PMOSFET的漏极电压施加在第一电阻两端来确定的，并且，本实施例利用运算放大器来调节NMOSFET或者PMOSFET的导通程度、以确保NMOSFET的源极电压或者PMOSFET的漏极电压与脉冲信号高电平期间的电压一致，因而就相当于将脉冲信号高电平期间的电压施加在第一电阻两端，从而能够使得冲击电流准确地受控于脉冲信号高电平期间的电压；本实用新型还利用可调节电压的电压源来变更漏源电压差，从而无需再针对漏源电压差的不同取值而相应地更换稳压管。

主权项

一种用于测试MOSFET的电路，其特征在于，待测试的MOSFET为NMOSFET，且该电路包括：可调接电压的电压源，其在测试时连接待测试NMOSFET的漏极；第一电阻，其一端接地、另一端在测试时连接待测试NMOSFET的源极；可调节脉冲信号的脉宽和幅度的脉冲发生器；运算放大器，其正输入端连接所述脉冲发生器、负输入端在测试时连接待测试NMOSFET的源极、输出端在测试时连接待测试NMOSFET的栅极；其中，在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的高电平期间，输出端输出的电压信号使待测试NMOSFET导通、并驱使待测试NMOSFET的源极电压与脉冲信号的高电平电压一致；在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的低电平期间，输出端输出的电压信号使待测试NMOSFET关闭。