[实用新型]用于测试MOSFET的电路

权利要求书

1.一种用于测试MOSFET的电路，其特征在于，待测试的MOSFET为NMOSFET，且该电路包括：

可调接电压的电压源，其在测试时连接待测试NMOSFET的漏极；

第一电阻，其一端接地、另一端在测试时连接待测试NMOSFET的源极；

可调节脉冲信号的脉宽和幅度的脉冲发生器；

运算放大器，其正输入端连接所述脉冲发生器、负输入端在测试时连接待测试NMOSFET的源极、输出端在测试时连接待测试NMOSFET的栅极；其中，在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的高电平期间，输出端输出的电压信号使待测试NMOSFET导通、并驱使待测试NMOSFET的源极电压与脉冲信号的高电平电压一致；在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的低电平期间，输出端输出的电压信号使待测试NMOSFET关闭。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：

第二电阻，其串联在所述运算放大器的输出端与地之间。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，进一步包括：

电容，其连接在所述运算放大器的输出端与负输入端之间。

4.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，进一步包括：

第三电阻，其连接在所述运算放大器的正输入端与地之间。

5.一种用于测试MOSFET的电路，其特征在于，待测试的MOSFET为PMOSFET，且该电路包括：

可调接电压的电压源，其在测试时连接待测试PMOSFET的源极；

第一电阻，其一端接地、另一端在测试时连接待测试PMOSFET的漏极；

可调节脉冲信号的脉宽和幅度的脉冲发生器；

运算放大器，其负输入端连接所述脉冲发生器、正输入端在测试时连接待测试PMOSFET的漏极、输出端在测试时连接待测试PMOSFET的栅极；其中，在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的高电平期间，输出端输出的电压信号使待测试PMOSFET导通、并驱使待测试PMOSFET的漏极电压与脉冲信号的高电平电压一致；在所述脉冲发生器于测试时产生的脉冲信号的低电平期间，输出端输出的电压信号使待测试PMOSFET关闭。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，进一步包括：

第二电阻，其串联在所述运算放大器的输出端与地之间。

7.根据权利要求5或6所述的电路，其特征在于，进一步包括：

电容，其连接在所述运算放大器的输出端与正输入端之间。

8.根据权利要求5或6所述的电路，其特征在于，进一步包括：

第三电阻，其连接在所述运算放大器的负输入端与地之间。