[实用新型]具有梯形侧边斜面的发光二极管结构有效
| 申请号： | 201120456805.9 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN202363508U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄国瑞 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构，可用于诸如一般发光二极管、高压发光二极管、交流电发光二极管等发光二极管领域；其发光区域非具有垂直侧边，而是为平滑斜面；透过其光学反射层、P型半导体层、发光层与N型半导体层等层面的侧边所共同延续出的平滑面，配合光学反射层的功能，使光线可以由发光二极管的上方均匀出光。且透过暴露出部分发光层的设计，亦减少光线遭遮蔽而遭吸收减弱的效果，进而同时增加发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯形 侧边 斜面 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构，其特征在于，其是包含：一光学反射层；一P型半导体层，是设于该光学反射层的上方；一发光层，是设于该P型半导体层的上方；及一N型半导体层，是设于该发光层的上方；其中，该光学反射层的一底部长度大于该N型半导体层的一顶部。
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