[实用新型]具有梯形侧边斜面的发光二极管结构有效
| 申请号: | 201120456805.9 | 申请日: | 2011-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN202363508U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
| 发明(设计)人: | 黄国瑞 | 申请(专利权)人: | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 |
| 主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/46 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 梯形 侧边 斜面 发光二极管 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种发光二极管结构,尤指一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构。
背景技术
由于近代石化能源逐渐匮乏,对节能产品需求日益扩大,因此发光二极管(LED)的技术有长足的进步。而在石油价格不稳定的条件之下,全球各个国家积极地投入节能产品的开发,将发光二极管应用于省电灯泡便是此一趋势下的产物。此外,随着发光二极管技术的进步,白光或其它颜色(例如:蓝光)发光二极管的应用也逐渐广泛,现今其应用已可包括:液晶显示器(LCD)的背光板、打印机、用于计算机的光学连接构件、指示灯、地面灯、逃生灯、医疗设备光源、汽车仪表及内装灯、辅助照明、主照明...等。
发光二极管除了由于耗电低、不含汞、寿命长、二氧化碳排放量低等优势外,全球各国政府禁用汞的环保政策,也驱使研究人员投入白光发光二极管的研发与应用。在全球环保风潮方兴未艾之际,被喻为绿色光源的发光二极管可符合全球的主流趋势,如前所指,其已普遍应用于3C产品指示器与显示装置之上;而再随着发光二极管生产良率的提高,单位制造成本也已大幅降低,因此发光二极管的需求持续增加。
承前所述,此刻开发高亮度的发光二极管已成为各国厂商的研发重点,然而当前的发光二极管仍存在缺陷,使得发光效率无法达到最佳状态。
于过去技术中,曾选择采用覆晶式结构或是垂直式电极结构来提升发光效率。由于一般发光二极管是采用将蓝宝石基板直接黏在杯座上的封装方式;然而这样的封装方式会使光在输出时,会受到黏接垫片及金属打线的阻挡而导致发光亮度降低,因此有采用覆晶式结构来改善光会被阻挡的缺陷。
还有一种改善方式则为使用电流阻挡层。一般发光二极管的电流方向为最短路径,如此将使大部分的电流皆注入P型电极下方的区域。这样将导致大部分的光聚集在P型电极下方,因而使所产生的光被P型电极所阻挡而无法大量输出,造成光输出功率下降。因此,可使用电流阻挡层(Current Blocking Layer)来改善,此方法是使用蚀刻与化学气相沉积的方式,来将绝缘体沉积于组件结构中。用来阻挡最短的路径,因此使发光二极管的电流往其余路径来流动,进而使组件的光亮度提升。
然而,该些方法并非针对发光二极管的发光层是全方向发光的特性,而发光二极管于使用上并非全方向都能采光,因此往非理想出光方向发散的光线将无法被有效利用,形成能量的浪费。
因此,本实用新型针对发光二极管结构的做进一步突破,以结构上的特殊设计使光得以由上方大量出光,以提升发光二极管的发光效率。
实用新型内容
本实用新型的主要目的,是提供一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构,其具有梯形侧边斜面,使部分发光层所产生的光可经由斜面产生折射,使光能较均匀地发散,提高出光效率。
本实用新型的次要目的,是提供一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构,其上层表面积小于下层,因此发光层的侧边部分可以直接向上方出光,而不需经由半导体层的影响而造成光衰减。
本实用新型的技术方案是:一种具有梯形侧边斜面的发光二极管结构,其是包含:
一光学反射层;
一P型半导体层,是设于该光学反射层的上方;
一发光层,是设于该P型半导体层的上方;及
一N型半导体层,是设于该发光层的上方;
其中,该光学反射层的一底部长度大于该N型半导体层的一顶部。
本实用新型中,其中该光学反射层的二侧边是连接于该P型半导体层的二侧边,更进一步与该发光层及该N型半导体层的二侧边相连接,且该光学反射层、该P型半导体层、该发光层与该N型半导体层的二侧边分别呈一平面。
本实用新型中,更进一步包含一金属导电层,是设于该光学反射层的下方。
本实用新型中,更进一步包含一基板,是设于该金属导电层的下方。
本实用新型具有的有益效果:透过本实用新型的具有梯形侧边斜面的发光二极管结构,该发光层20所产生的光亮将可集中由发光二极管的上方均匀发散,且减少光行进中所会受到的遮蔽,进而提高发光二极管的出光效率。
附图说明
图1:其为本实用新型的一较佳实施例的结构示意图。
【图号对照说明】
10N型半导体层 101顶部
20发光层 30P型半导体层
40光学反射层 401底部
50金属导电层 60基板
70N型电极 80P型电极
具体实施方式
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